UCC5871-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流、基于 NTC 的过热和 DESAT 检测,包括在这些故障期间可选的软关断或两级关断。为了进一步减小应用尺寸,UCC5871-Q1 在开关期间集成了一个 4A 有源米勒箝位,在驱动器未通电时集成了一个有源栅极下拉。集成的 10 位 ADC 可监控多达 6 个模拟输入和栅极驱动器温度,以增强系统管理。集成了诊断和检测功能,以简化系统设计。这些功能的参数和阈值可通过 SPI 接口进行配置,这使得该器件几乎可以与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一起使用。
*附件:ucc5871-q1.pdf
特性
- 分离式输出驱动器提供 30A 峰值拉电流和 30A 峰值灌电流
- 具有 150ns(最大)传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
- 初级侧和次级侧有源短路 (ASC) 支持
- 可配置的功率晶体管保护
- 基于 DESAT 的短路保护
- 基于分流电阻器的过流和短路保护
- 基于 NTC 的过热保护
- 功率晶体管故障期间的可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF)
- 符合功能安全标准
- 集成诊断:
- 用于保护比较器的内置自检 (BIST)
- IN+ 到晶体管栅极路径完整性
- 功率晶体管阈值监控
- 内部时钟监控
- 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
- 集成 4A 有源米勒钳位或用于米勒钳位晶体管的可选外部驱动器
- 先进的高压箝位控制
- 内部和外部电源欠压和过压保护
- 有源输出下拉和默认低电平输出,具有低电源或浮动输入
- 驱动器芯片温度感应和过热保护
- V 时最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 为 100kV/μs
厘米 = 1000 伏 - 基于 SPI 的器件重配置、验证、监控和诊断
- 集成 10 位 ADC,用于功率晶体管温度、电压和电流监控
参数

方框图

一、产品概述
UCC-Q是一款专为汽车电子应用设计的A隔离IGBT/SiC MOSFET门驱动器,集成了高级保护特性和高度可配置功能,适用于混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)的牵引逆变器及功率模块。
二、主要特性
- 高电流驱动能力:提供A峰值源和A峰值沉电流。
- 互锁与直通保护:具有ns(最大)传播延迟和可编程最小脉冲抑制。
- 高级保护功能:包括DESAT基短路保护、NTC基过温保护、可编程软关断(STO)和两级关断(LTOFF)。
- 功能安全合规:符合功能安全应用要求,文档支持ISO 系统设计。
- 集成诊断功能:内置自检(BIST)、内部时钟监控、故障报警(nFLT)和警告(nFLT)输出。
- 高共模瞬态抑制能力(CMTI) :最小kV/µs。
- 可配置性:通过SPI接口实现参数和阈值配置,支持广泛的SiC MOSFET和IGBT。
- 集成ADC:位ADC用于监控功率晶体管温度、电压和电流。
三、应用领域
四、功能描述
. 驱动与保护
- 分裂输出驱动:提供高电流源和沉能力,支持SiC MOSFET和IGBT的高效切换。
- 互锁与直通保护:防止上下桥臂同时导通,避免短路。
- 高级保护:包括短路、过流、过温和DESAT检测,支持快速响应和软关断。
. 配置与诊断
- SPI接口:支持设备重配置、验证、监控和诊断。
- 集成ADC:实现多通道模拟输入监控,增强系统管理能力。
- 诊断功能:通过BIST、时钟监控和故障输出,提供全面的系统健康监控。
. 隔离与传感
- 高隔离电压:支持高电压应用中的可靠隔离。
- 隔离模拟传感:支持隔离的模拟信号输入,用于温度或电压感测。
五、典型应用
文档提供了UCC-Q在半桥电路中的典型应用电路,包括布局指南、设计要求和详细设计步骤,如电源设计、输入滤波、SPI接口配置、模拟信号监控等。
六、电源推荐
- 初级侧电源(VCC) :推荐V至.V。
- 次级侧电源(VCC) :推荐V至V。
- 次级侧负电源(VEE) :推荐-V至V。
- 电源旁路:建议在电源引脚附近放置低ESR/ESL的旁路电容,以稳定电源电压。
七、布局指南
- 最小化寄生电感:驱动器应尽可能靠近被驱动的功率器件。
- 电源旁路:电源旁路电容应尽可能靠近电源引脚放置。
- 信号完整性:保持输入信号的完整性,避免长距离传输和干扰。
- 热管理:考虑PCB布局以优化热传导,减小热阻。