UCC23313-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 4.5A 拉电流和 5.3A 灌电流峰值输出电流以及 3.75kV 电压RMS基本隔离等级。33 V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比,主要特性和特性带来了显著的性能和可靠性提升,同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制会导致较小的零件间偏差。输入级是仿真二极管 (e-diode),与光耦合器栅极驱动器中的传统 LED 相比,这意味着具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用具有 8.5 mm 爬电距离和间隙的拉伸 SO6 封装>以及材料组 I 的模塑料,其相对起痕指数 (CTI) > 600 V。UCC23313-Q1 的高性能和可靠性使其非常适合用于汽车电机驱动器,例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站、 以及汽车 HVAC 和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用提供了机会。
*附件:ucc23313-q1.pdf
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 3.75 千伏
RMS具有光兼容输入的单通道隔离式栅极驱动器 - 引脚对引脚、直接升级,适用于光电隔离栅极驱动器
- 4.5A 拉电流、5.3A 灌电流、峰值输出电流
- 最大 33V 输出驱动器电源电压
- 8V (B) 或 12V VCC UVLO 选项
- 轨到轨输出
- 105ns(最大值)传播延迟
- 25ns(最大值)器件间延迟匹配
- 35ns(最大值)脉宽失真
- 150kV/μs(最小值)共模瞬态抗扰度 (CMTI)
- 隔离栅寿命 > 50 年
- 输入级上的 13V 反极性电压处理能力,支持互锁
- 具有 > 8.5mm 爬电距离和间隙的加长 SO-6 封装
- 工作结温,T
J : –40°C 至 +150°C - 功能安全
- 安全相关认证:
- 6000 伏
PK符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 的基本隔离(正在进行中) - 3.75 千伏
RMS隔离 1 分钟,符合 UL 1577 标准
参数

一、产品概述
UCC3-Q是一款高性能的隔离栅极驱动器,专为驱动IGBTs、MOSFETs和SiC FETs等功率半导体器件设计。该驱动器具备高共模瞬态免疫(CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真等特性,同时保持与标准光耦隔离栅极驱动器的引脚兼容性。
二、主要特性
- 高CMTI:高达0kV/μs的共模瞬态免疫能力,有效抵抗噪声干扰。
- 低延迟:最大传播延迟为5ns,脉冲宽度失真仅为5ns,适用于高频开关应用。
- 高隔离电压:具有3.kV RMS的隔离电压和6kV PK的浪涌隔离电压。
- 宽电压范围:输出驱动电源电压支持0V至3V,适用于多种供电配置。
- 高可靠性:输入阶段采用模拟二极管(e-diode),提高长期可靠性和稳定性。
- 灵活配置:提供2V和V两种UVLO(欠压锁定)版本,满足不同应用需求。
三、应用领域
- 汽车电机驱动:如牵引逆变器、车载充电器等。
- 工业逆变器
- 开关模式电源
四、功能描述
1. 输入阶段
- 输入采用e-diode,无需光耦合器,减少光衰问题,提高长期可靠性。
- 动态阻抗小,温度系数低,确保输入电流的稳定性。
2. 输出阶段
- 提供4A的峰值输出电流,满足高功率开关需求。
- 输出结构采用P-channel和N-channel MOSFET并联,提供快速响应和低输出阻抗。
3. 保护功能
- UVLO保护:防止在电源电压不足时误操作。
- 短路保护:在短路条件下,通过内部二极管将输出引脚钳位至略高于VCC电压,保护功率器件。
- 反向极性保护:输入端支持高达V的反向电压,提高系统可靠性。
五、典型应用
文档提供了UCC3-Q在驱动IGBT的典型应用电路图,并详细说明了设计要求和步骤,包括输入电阻选择、输出电阻计算、功率损耗估算和结温估算等。
六、电源推荐
- 为VCC引脚添加低ESR的陶瓷旁路电容,以滤除高频噪声。
- 在远距离供电情况下,建议使用隔离电源生成方案。
七、布局指南
- 栅极驱动器应尽量靠近功率开关,以减少寄生电感。
- 合理设计接地路径,避免高电流回路与信号线交叉。
- 考虑热管理,利用PCB上的大面积铜层进行散热。