UCC21750-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧采用 SiO 2 电容隔离技术与输出侧隔离,支持高达 1.5 kV RMS 的工作电压、12.8 kV PK 浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过 40 年,并提供低器件间偏移和> 150 V/ns 共模噪声抗扰度 (CMTI)。
*附件:ucc21750-q1.pdf
UCC21750-Q1 包括最先进的保护功能,例如快速过流和短路检测、分流电流传感支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO,以优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。隔离式模拟转 PWM 传感器可用于更轻松的温度或电压传感,进一步提高驱动器的多功能性,并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
特性
- 5.7kV RMS 单通道隔离栅极驱动器
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C3
- 高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD – VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 最小 CMTI 为 150V/ns
- 200ns 响应时间快速 DESAT 保护
- 4-A 内部主动式米勒夹具
- 发生故障时 400mA 软关断
- 带 PWM 输出的隔离模拟传感器,用于
- 使用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度传感
- 高压直流母线或相电压
- 过流警报 FLT 并从 RST/EN 复位
- RST/EN 的快速启用和禁用响应
- 抑制 < 40ns 噪声瞬态和输入引脚上的脉冲
- 12V VDD UVLO,RDY 上电源正常
- 输入/输出具有高达 5 V 的过冲/下冲瞬态电压抗扰度
- 130ns(最大值)传播延迟和 30ns(最大值)脉冲/部件偏移
- SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙距离> 8 mm
- 工作结温 –40°C 至 150°C
参数

方框图

一、产品概述
UCC0-Q是一款针对SiC MOSFET和IGBT设计的0A源/漏增强型隔离单通道栅极驱动器,具有主动保护功能、隔离模拟传感和高共模瞬态抑制能力(CMTI)。该驱动器适用于电动汽车(EV)牵引逆变器、车载充电器、混合动力电动汽车(HEV)的DC/DC转换器等高功率应用。
二、主要特性
- 高隔离电压:.kV RMS隔离电压,支持1.5kV RMS工作电压和.kV峰值浪涌免疫。
- 强驱动能力:±A峰值源和漏电流,可直接驱动SiC MOSFET和IGBT模块。
- 快速保护:0ns响应时间的快速DESAT保护,防止过流和短路。
- 隔离模拟传感:支持温度传感、高压直流母线电压传感等,输出PWM信号。
- 高CMTI:>0V/ns的共模瞬态抑制能力,确保系统稳定性。
- 多种保护功能:包括过流和短路保护、UVLO(欠压锁定)、软关断等。
三、应用领域
- 牵引逆变器(EVs)
- 车载充电器和充电堆
- HEV/EV的DC/DC转换器
四、功能描述
- 主动米勒钳位:内部和外部米勒钳位功能,防止快速切换时的误触发。
- DESAT保护:快速检测IGBT的Vce电压,实现过流和短路保护。
- UVLO保护:输入和输出侧均具备UVLO保护,确保供电稳定。
- 软关断:检测到故障时,以0mA的电流软关断IGBT,减少能量损耗和过压击穿风险。
- 隔离模拟传感:通过AIN引脚输入模拟信号,转换为PWM信号输出,用于温度或电压监测。
五、典型应用
文档提供了一个使用UCC-Q1驱动IGBT模块的典型半桥应用电路,包括设计要求、设计步骤和布局指南。详细描述了如何选择合适的栅极电阻、计算峰值栅极电流、估计功率损耗等。
六、电源推荐
- 输入供电电压(VCC) :3V至.V,推荐使用µF电容旁路至GND。
- 输出供电电压(VDD和VEE) :宽范围供电,VDD最高可达V,VEE最低可达-5V,推荐使用µF电容旁路至COM。
七、布局指南
- 驱动器位置:应尽可能靠近功率半导体,减小栅极回路的寄生电感。
- 旁路电容:输入和输出侧的旁路电容应尽可能靠近相应的供电引脚放置。
- 地平面:输入侧建议使用地平面屏蔽输入信号,输出侧根据具体应用决定是否使用地平面。
- 隔离屏障:避免在隔离屏障下方放置PCB走线或铜层,以防噪声耦合。