UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器,具有 10A 拉电流和 10A 灌电流峰值电流,设计用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 为基准,这有利于双极电源并优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。
*附件:ucc5390-q1.pdf
UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装,可支持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧采用 SiO2 电容隔离技术与输出侧隔离,隔离栅使用寿命超过 40 年。该器件具有高驱动强度和真正的 UVLO 检测功能,非常适合在车载充电器和牵引逆变器等应用中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。
与光耦合器相比,UCC5390-Q1 具有更低的器件间偏移、更低的传播延迟、更高的工作温度和更高的 CMTI。
特性
- 5kVRMS 单通道隔离栅极驱动器
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 温度等级 1
- HBM ESD 分类等级 H2
- CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全 质量管理
- 以 GND2 为基准的 12V UVLO
- 8 引脚 DWV(8.5mm 爬电距离)封装
- 60ns (典型值) 传播延迟
- 传播延迟中的小器件间偏斜
- 最小 CMTI 为 100V/ns
- 10A 最小峰值电流
- 3V 至 15V 输入电源电压
- 高达 33V 的驱动器电源电压
- 输入引脚上的负 5V 处理能力
- 安全相关认证:
- 7000VPK 隔离 (DWV),符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01(计划)
- 5000VRMS (DWV) 隔离额定值,持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
- 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
- CMOS 输入
- 工作结温:–40°C 至 +150°C
参数

方框图

一、产品概述
UCC-Q1是一款单通道隔离门驱动器,专为SiC/IGBT及汽车应用设计。它支持高达kV RMS的隔离电压,符合AEC-Q0汽车应用标准,并具有多种高级保护功能。
二、主要特性
- 高隔离电压:kV RMS隔离电压,适用于高电压应用。
- 宽输入电压范围:输入侧支持V至V的宽电压范围。
- 强驱动能力:输出侧支持高达0A的峰值源/漏电流。
- 快速响应:ns(典型值)的传播延迟,适用于高速开关应用。
- 高CMTI:最小共模瞬态抑制比(CMTI)为V/ns。
- 保护功能:包括欠压锁定(UVLO)、短路钳位、活动下拉等。
- 小尺寸封装:采用8引脚DWV(.mm爬电距离)封装,节省空间。
- 认证齐全:包括VDE、UL、CQC等安全认证。
三、应用领域
四、功能描述
- 电源管理:
- 输入侧(VCC1)和输出侧(VCC、VEE)均具有独立的电源管理功能。
- 支持双极电源配置,优化SiC和IGBT的开关行为和鲁棒性。
- 驱动能力:
- 输出级采用PMOS和NMOS并联结构,提供高达0A的峰值源/漏电流。
- 支持高达V的驱动电压,适用于高电压应用。
- 保护功能:
- UVLO功能:防止输入侧和输出侧电源欠压导致的驱动异常。
- 短路钳位功能:在短路条件下将输出电压钳位在安全范围内。
- 活动下拉功能:在无电源情况下将输出下拉至低电平,防止误开通。
- 其他功能:
- 支持CMOS输入,兼容.V和5V逻辑电平。
- 提供故障信号输出(FLT),便于系统监控和故障处理。
五、典型应用
文档提供了UCC-Q1在驱动IGBT的典型应用电路,包括设计要求、详细设计步骤和布局指南。典型应用涵盖了输入滤波器设计、输出电阻选择、功率损耗计算等方面。
六、电源推荐
为确保可靠运行,建议在VCC1和GND1之间使用.µF的旁路电容,在VCC和VEE之间使用1µF的旁路电容。对于长距离供电情况,建议使用更大容量的电解电容进行滤波。
七、布局指南
- 驱动器应尽可能靠近功率半导体放置,以减小寄生电感。
- 旁路电容应尽可能靠近电源引脚放置,以减小电源噪声。
- 输入侧和输出侧应使用独立的地平面,避免相互干扰。
- 避免在隔离屏障下方放置PCB走线或铜层,以防噪声耦合。
- 合理规划PCB层叠结构,确保良好的热散逸和电气性能。