UCC23511 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 1.5A 拉电流和 2A 灌电流峰值输出电流以及 5.7kVRMS增强的隔离等级。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比,主要特性和特性带来了显著的性能和可靠性提升,同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制会导致较小的零件间偏差。输入级是模拟二极管 (ediode),与传统 LED 相比,这意味着长期可靠性和出色的老化特性。它采用爬电距离和间隙为 >8.5mm 的拉伸 SO6 封装,以及具有相对漏电起痕指数 (CTI) >600V 的 I 组材料模塑料。UCC23511 的高性能和可靠性使其成为所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器的理想选择。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用提供了机会。
*附件:ucc23511.pdf
特性
- 5.7kV 电压
RMS具有光兼容输入的单通道隔离式栅极驱动器 - 引脚对引脚、直接升级,适用于光电隔离栅极驱动器
- 1.5A 拉电流/2A 灌电流,峰值输出电流
- 最大 33V 输出驱动器电源电压
- 8V (B) 或 12V VCC UVLO 选项
- 轨到轨输出
- 105ns(最大值)传播延迟
- 25ns(最大值)器件间延迟匹配
- 35ns(最大值)脉宽失真
- 150kV/μs(最小值)共模瞬态抗扰度 (CMTI)
- 隔离栅寿命 >50 年
- 输入级上的 13V 反极性电压处理能力,支持互锁
- 具有 >8.5mm 爬电距离和间隙的加长 SO-6 封装
- 工作结温,T
J : –40°C 至 +150°C - 安全相关认证(计划):
- 5.7kV 电压
RMS隔离 1 分钟,符合 UL 1577 标准 - 8000 伏
PK符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 的增强隔离 - 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
参数

一、产品概述
UCC1是一款高性能的单通道隔离门驱动器,专为IGBT、MOSFET和SiC MOSFET设计。它采用光耦兼容输入,具有5.7-kV RMS的隔离电压,支持高达V的输出驱动电压,并提供1.5A源电流和A漏电流。
二、主要特性
- 高性能隔离:5.7-kV RMS隔离电压,支持高电压应用。
- 高输出电流:.A源电流,2A漏电流,满足大功率驱动需求。
- 宽电压范围:输出驱动电压最高可达V,支持双极电源配置。
- 低延迟:最大ns的传播延迟,适用于高速开关应用。
- 高CMTI:-kV/μs的最小共模瞬态抑制比(CMTI),增强抗干扰能力。
- 可靠性高:采用模拟二极管(e-diode)输入,相比传统光耦具有更高的可靠性和更长的使用寿命。
- 小型封装:拉伸SO-封装,具有>8.5mm的爬电距离和电气间隙,满足紧凑设计要求。
三、应用领域
- 工业电机控制驱动器
- 工业电源和UPS
- 太阳能逆变器
- 感应加热
四、功能描述
- 电源管理:支持宽范围的输出供电电压(4V至3V),并具有欠压锁定(UVLO)功能,保护驱动器免受欠压影响。
- 输入级:采用模拟二极管(e-diode)输入,无需光发射,提高了可靠性和稳定性。
- 输出级:具有强大的驱动能力,包括一个P-channel MOSFET和一个额外的N-channel MOSFET并联的拉高结构,以及一个N-channel MOSFET的拉低结构。
- 保护功能:包括欠压锁定(UVLO)、活动下拉、短路钳位等,确保驱动器的安全可靠运行。
- 隔离屏障:采用电容性隔离技术,提供增强的隔离性能和卓越的CMTI。
五、典型应用
文档提供了UCC1在驱动IGBT的典型应用电路,包括设计要求、详细设计步骤、功率损耗计算和布局指南。
六、电源推荐
为确保可靠运行,建议在VCC和VEE之间使用合适的旁路电容,并根据应用需求选择适当的VCC和VEE电压值。对于需要隔离电源的应用,文档还提供了使用变压器驱动器的建议。
七、布局指南
- 组件放置:旁路电容应尽可能靠近VCC和VEE引脚放置,以减小电源噪声。
- 接地考虑:限制高峰值电流充电和放电的晶体管栅极到最小物理区域,以减小环路电感并最小化噪声。
- 高压考虑:确保隔离性能,避免在驱动器下方放置任何PCB走线或铜层。
- 热考虑:优化PCB布局以消散热量,降低结到板的热阻抗。