UCC21540A 5.7kVrms,4A/6A双通道隔离栅极驱动器数据手册

描述

UCC2154x 是一款隔离式双通道栅极驱动器系列,具有高达 4A/6A 的峰值拉/灌电流,可驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。采用 DWK 封装的 UCC2154x 还提供 3.3mm 的最小通道间距,从而实现更高的总线电压。

UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
*附件:ucc21540a.pdf

保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能,以及输入引脚上高达 –5V 尖峰的负电压处理,持续 50 ns。所有电源均具有 UVLO 保护。

特性

  • 宽体封装选项
    • DW SOIC-16:引脚 2 引脚转 UCC21520
    • DWK SOIC-14:3.3 mm Ch-2-Ch 间距
  • 高达 4A 的峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 高达 18V VDD 输出的驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • CMTI 大于 125V/ns
  • 切换参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 6ns 最大脉宽失真
    • 10μs 最大 VDD 上电延迟
  • 电阻器可编程死区时间
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 5700VRMS 隔离,持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
    • 符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

参数
GaN

方框图
GaN

一、产品概述

UCC0A是一款隔离双通道门驱动器,具有高达4A的峰值源电流和A的峰值漏电流,适用于驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。该驱动器具有宽体封装选项,提供增强的电气隔离和多种保护功能,适用于隔离AC-DC和DC-DC电源、服务器、电信、IT和工业基础设施、电机驱动和太阳能逆变器等应用。

二、主要特性

  • 宽体封装选项‌:提供DW SOIC-6和DWK SOIC-4封装,DWK封装具有.mm的通道间间距,便于高总线电压应用。
  • 高峰值电流‌:高达4A的峰值源电流和A的峰值漏电流。
  • 高输出驱动能力‌:支持高达V的VDD输出驱动供应,提供5V和V VDD UVLO选项。
  • 高CMTI‌:大于5V/ns的共模瞬态免疫能力,增强抗干扰性能。
  • 快速开关性能‌:3ns的典型传播延迟,6ns的最大脉冲宽度失真,适用于高速开关应用。
  • 可编程死区时间‌:通过电阻编程死区时间,防止功率器件直通。
  • 多种保护功能‌:包括UVLO保护、禁用功能和负电压处理能力。

三、应用领域

  • 隔离AC-DC和DC-DC电源
  • 服务器、电信、IT和工业基础设施
  • 电机驱动和太阳能逆变器
  • 工业交通运输

四、功能描述

  • 输入和输出隔离‌:通过.kV RMS的隔离屏障实现输入和输出之间的电气隔离。
  • 输出级结构‌:采用P-channel MOSFET和N-channel MOSFET并联的拉高结构,提供强大的源电流能力;拉低结构采用N-channel MOSFET,实现快速关断。
  • 可编程死区时间‌:通过DT引脚外接电阻实现死区时间的可编程,防止半桥应用中的功率器件直通。
  • 禁用功能‌:DIS引脚高电平有效,可同时禁用两个输出,提高系统安全性。
  • UVLO保护‌:具有输入和输出侧的UVLO保护功能,确保在供电电压异常时驱动器不会误动作。

五、典型应用

文档提供了UCC0A在半桥配置中驱动MOSFET的典型应用电路,包括设计要求、详细设计步骤、功率损耗计算和布局指南。

六、电源推荐

  • VCCI供电电压‌:推荐范围为3V至.V,需使用低ESR/ESL的旁路电容。
  • VDDA/VDDB供电电压‌:推荐范围为V至V,同样需使用低ESR/ESL的旁路电容。

七、布局指南

  • 组件放置‌:旁路电容应尽可能靠近供电引脚放置,以减小电源噪声。
  • 接地考虑‌:将高峰值电流路径限制在最小物理区域内,减小环路电感,降低噪声。
  • 高压考虑‌:确保隔离性能,避免在隔离屏障下方放置任何PCB走线或铜层。
  • 热考虑‌:优化PCB布局以消散热量,降低结温,提高系统可靠性。
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