适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器,具有 4.5A 的拉电流和 5.3A 的灌电流峰值输出电流和 5.7kVRMS隔离等级。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。可以驱动低侧和高侧功率 FET,与基于光耦合器的栅极驱动器相比,FET 带来了显著的性能和可靠性升级,同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制会导致较小的零件间偏差。输入级是模拟二极管 (e-diode),与传统 LED 相比,这意味着长期可靠性和出色的老化特性。IGH 性能和可靠性非常适合用于所有类型的电机驱动器。更高的工作温度为传统光耦合器不支持的应用提供了机会。
*附件:ucc23513.pdf
特性
- 具有光兼容输入的单通道隔离式栅极驱动器
- 引脚对引脚、直接升级,适用于光电隔离栅极驱动器
- 峰值输出电流
- 14V 至 33V 输出驱动器电源电压
- 轨到轨输出
- 105ns(最大值)传播延迟
- 25ns(最大值)器件间延迟匹配
- 35ns(最大值)脉宽失真
- 150kV/μs(最小值)共模瞬态抗扰度 (CMTI)
- 隔离栅寿命 >50 年
- 输入级具有 13V 反极性电压处理能力
- 具有 >8.5mm 爬电距离和间隙的加长 SO-6 封装
- 工作结温,T
J : –40°C 至 +150°C - 安全相关认证:
- 8000 伏
PK符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 的增强隔离 - 5.7kV 电压
RMS隔离 1 分钟,符合 UL 1577 标准 - 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
参数

一、产品概述
UCC3是一款高性能的单通道隔离门驱动器,专为IGBT、MOSFET和SiC MOSFET设计。该驱动器具有.-kV RMS的隔离评级,适用于工业电机控制、工业电源、UPS和太阳能逆变器等应用。UCC3采用光耦兼容输入,提供4.5-A源电流和5.3-A漏电流,并支持高达-V的输出驱动电压。
二、主要特性
- 高隔离电压:.-kV RMS隔离电压,符合UL 7和CQC认证标准。
- 宽输出电压范围:支持4-V至-V的输出驱动电压,适用于双极电源配置。
- 高性能:低传播延迟(最大5 ns)、小脉冲宽度失真(最大5 ns)和高共模瞬态免疫(CMTI)能力(最小0 kV/μs)。
- 高可靠性:采用模拟二极管(e-diode)输入阶段,提供长期可靠性和优异的老化特性。
- 光耦兼容:提供与标准光耦隔离门驱动器的引脚对引脚兼容性。
- 操作温度范围广:结温范围为-0°C至+°C。
三、应用领域
- 工业电机控制驱动器
- 工业电源和UPS
- 太阳能逆变器
- 感应加热
四、功能描述
- 输入阶段:采用e-diode输入,无需外部电源,提供稳定的输入电流和电压特性。
- 输出阶段:具有混合拉高结构,结合P沟道MOSFET和N沟道MOSFET,提供强大的源电流能力。拉低结构由N沟道MOSFET实现,确保快速关断。
- 保护功能:包括欠压锁定(UVLO)、有源下拉和短路钳位,保护功率半导体免受损坏。
- 增强型隔离:采用SiO电容隔离技术,提供增强的电气隔离和优异的CMTI性能。
五、典型应用
文档提供了UCC3在驱动IGBT时的典型应用电路,包括设计要求和详细设计步骤。设计步骤包括选择输入电阻、门驱动器输出电阻、估计门驱动器功率损耗和估算结温等。
六、电源推荐
- 推荐使用4-V至-V的输出供电电压(Vcc),并需要在Vcc和Vee引脚之间连接旁路电容以支持高峰值电流。
七、布局指南
- 组件放置:旁路电容应尽可能靠近Vcc和Vee引脚,以减少噪声和支持高峰值电流。
- 接地考虑:限制高峰值电流充电和放电的晶体管栅极到最小物理区域,以减小环路电感和最小化晶体管栅极上的噪声。
- 高压隔离:确保隔离屏障下方没有PCB走线或铜层,以防止污染并确保隔离性能。
- 热考虑:增加连接到Vcc和Vee引脚的PCB铜层,以提高热传导性。
八、文档支持
文档提供了详细的规格表、电气特性、开关特性、典型特性曲线、参数测量信息、应用指南、布局示例、PCB材料推荐、机械包装和可订购信息。此外,还提供了设备支持资源链接、相关文档、接收文档更新通知的方法、社区资源、静电放电注意事项和术语表等。