UCC21222-Q1 器件是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有可编程死区时间和宽温度范围。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳健性。它采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流设计,用于驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。
UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。5ns 延迟匹配性能允许两个输出并联,从而在重负载条件下将驱动强度提高一倍,而不会有内部击穿的风险。
*附件:ucc21222-q1.pdf
输入侧通过 3.0kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
电阻器可编程死区时间能够根据系统限制调整死区时间,以提高效率并防止输出重叠。其他保护功能包括:当 DIS 设置为高电平时同时关闭两个输出的禁用功能、抑制短于 5ns 的输入瞬变的集成抗尖峰脉冲滤波器,以及输入和输出引脚上高达 –2V 尖峰的负电压处理能力,持续 200ns。所有电源均具有 UVLO 保护。
特性
- 通用:双低侧、双高侧或半桥驱动器
- 符合 AEC Q100 标准:
- 设备温度等级 1
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 结温范围 –40°C 至 150°C
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 高达 25V VDD 输出的驱动电源
- 切换参数:
- 33ns 典型传播延迟
- 5ns 最大脉宽失真
- 10μs 最大 VDD 上电延迟
- 所有电源的 UVLO 保护
- 快速禁用电源排序
参数

方框图

概述
UCC-Q是一款隔离型双通道栅极驱动器,具备可编程死区时间、宽温度范围等特性。它适用于混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)电池充电器、隔离型AC-DC和DC-DC电源供应器、电机驱动和逆变器等应用。
主要特性
- 隔离特性:通过kV RMS隔离屏障实现输入侧与输出侧的电气隔离,具备V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)。
- 可编程死区时间:通过连接DT引脚与GND之间的电阻器来调整死区时间,防止输出重叠。
- 保护特性:包括禁用功能(同时关闭两个输出)、集成去抖动滤波器(拒绝短于ns的输入瞬态)、负电压处理能力(高达-V,持续ns)。
- 宽温度范围:支持-°C至°C的工作温度范围。
- 多种工作模式:可作为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器使用。
应用领域
- HEV和EV电池充电器
- 隔离型AC-DC和DC-DC电源供应器
- 电机驱动和逆变器
功能描述
输入与输出
- 输入信号:INA和INB分别为A通道和B通道的输入信号,具有TTL/CMOS兼容的输入阈值。
- 输出信号:OUTA和OUTB分别为A通道和B通道的输出,连接至功率晶体管的栅极。
- 禁用功能:DIS引脚用于同时禁用两个输出,提高系统安全性。
死区时间控制
- 可编程死区时间:通过DT引脚与GND之间的电阻器设置死区时间,防止上下桥臂直通。
- 死区时间匹配:确保两个输出通道之间的死区时间一致,提高系统可靠性。
保护功能
- 欠压锁定(UVLO) :输入侧和输出侧均具备UVLO保护,确保在供电电压不足时关闭输出。
- 去抖动滤波器:集成去抖动滤波器,拒绝短于ns的输入瞬态,提高系统稳定性。
典型应用
- 半桥驱动器:在同步降压、同步升压、半桥/全桥隔离拓扑以及三相电机驱动应用中使用UCC-Q作为半桥驱动器。
设计指南
- 输入滤波器设计:推荐使用小型的R-C滤波器来滤除输入信号中的高频噪声。
- 死区时间设置:根据系统需求选择合适的电阻器来设置死区时间,防止输出重叠。
- 电源与旁路电容:在VCCI、VDDA和VDDB引脚附近放置低ESR/ESL旁路电容,以支持高峰值电流并减小噪声。
- 布局与接地:遵循推荐的布局指南,确保高电流路径的寄生电感最小化,并保持良好的接地。
电源推荐
- VCCI供电:推荐范围为.V至.V。
- VDDA和VDDB供电:推荐范围为V至V,具体取决于所驱动的功率晶体管。
封装与订购信息
- 封装类型:SOIC 引脚封装。
- 温度范围:-°C至°C。
- RoHS合规性:符合RoHS标准。