UCC27212 具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器数据手册

描述

UCC27212器件具有 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流的峰值输出电流,能够驱动大功率 MOSFET。该器件具有一个片上额定电压为 120V 的自举二极管,无需外部分立二极管。输入结构可以直接处理 –10V,这提高了稳健性,并且不受电源电压的影响。UCC27212 提供 5V 关断 UVLO,有助于降低功率损耗并增加输入滞后,从而允许与模拟或数字 PWM 控制器接口,具有增强的抗噪能力。UCC27212(HS 引脚)的开关节点可以处理最大 –(24 – VDD)V,从而可以保护高侧通道免受固有负电压的影响。
*附件:ucc27212.pdf

特性

  • 3.7A 拉电流、4.5A 灌电流输出电流
  • 最大启动电压 120V DC
  • 7V 至 17V VDD 工作范围
  • 20V ABS 最大 VDD 工作范围
  • 5V 关断欠压锁定 (UVLO)
  • 输入引脚可承受 –10V 至 +20V 电压
  • 7.2ns 上升和 5.5ns 下降时间 (1000pF 负载)
  • 20ns 典型传播延迟
  • 4ns 典型延迟匹配
  • 额定结温范围为 –40°C 至 +150°C

参数
MOSFET

方框图
MOSFET

UCC2是一款由Texas Instruments(TI)生产的V、3.7A/.A半桥驱动器,具有5V欠压锁定(UVLO)功能。该驱动器设计用于驱动N沟道MOSFET,适用于太阳能功率优化器、微逆变器、电信和商用电源、在线和离线UPS、储能系统和电池测试设备等应用。

主要特性

  • 高电流能力‌:.A源电流和4.5A沉电流,适用于驱动大功率MOSFET。
  • 高电压支持‌:最大自举电压可达0V DC,满足高电压应用需求。
  • 宽供电范围‌:VDD供电电压范围为V至V(绝对最大值为0V),具有5V UVLO功能以降低功耗。
  • 快速响应‌:7.2ns上升时间和5.5ns下降时间(0pF负载),ns典型传播延迟,ns典型延迟匹配。
  • 鲁棒性输入‌:输入引脚可直接承受-0V至+V的电压,且独立于供电电压。
  • 内置自举二极管‌:0V额定自举二极管,无需外部离散二极管。
  • 高dV/dt免疫‌:优异的dV/dt免疫能力,保护驱动器免受高电压尖峰影响。
  • 宽温度范围‌:支持-0°C至+°C的结温范围,适用于各种环境条件。

应用领域

  • 太阳能功率优化器‌:优化太阳能板输出,提高系统效率。
  • 微逆变器‌:将太阳能板产生的直流电转换为交流电。
  • 电信和商用电源‌:为通信设备和商用设备提供稳定可靠的电源。
  • 在线和离线UPS‌:确保电力供应的连续性和稳定性。
  • 储能系统‌:管理电池储能系统的充放电过程。
  • 电池测试设备‌:用于电池性能和耐久性的测试。

功能描述

输入阶段

  • 输入引脚具有kΩ的标称阻抗和约4pF的输入电容,提供.V的上升阈值和1.6V的下降阈值,具有足够的输入迟滞以避免噪声引起的抖动。

欠压锁定(UVLO)

  • 监测VDD和VHB至VHS的差分电压,当电压低于指定阈值时关闭输出。VDD的UVLO阈值为.V,具有.V的迟滞;VHB的UVLO阈值为5.3V,具有0.3V的迟滞。

电平移位

  • 电平移位电路将高侧输入信号转换为相对于HS引脚的HO输出信号,提供良好的延迟匹配。

自举二极管

  • 内置自举二极管提供快速恢复时间、低二极管电阻和电压额定裕量,确保高效可靠的高侧驱动。

输出阶段

  • 输出阶段具有高转换速率、低电阻和高峰值电流能力,允许高效切换功率MOSFET。低侧输出阶段参考于VDD至VSS,高侧输出阶段参考于VHB至VHS。

典型应用

UCC2的典型应用包括驱动半桥和全桥拓扑结构中的N沟道MOSFET。设计时应考虑电源耗散、输入和输出滤波、布局布线等因素,以确保驱动器的稳定可靠运行。

电源推荐

推荐VDD供电电压范围为V至V,同时需要为VDD和VHB供电电压添加适当的旁路电容,以减少噪声干扰并提高驱动器的稳定性。

封装与订购信息

UCC2采用WSON(DPR)封装,提供多种订购选项。用户可根据具体需求选择合适的封装和型号。

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