LMG1205 适用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半桥栅极驱动器数据手册

该 LMG1205 设计用于在同步降压、升压或半桥配置中驱动高压侧和低压侧增强型氮化镓 （GaN） FET。该器件具有集成的 100V 自举二极管以及用于高侧和低侧输出的独立输入，可实现最大的控制灵活性。高压侧偏置电压使用自举技术产生，并在内部箝位为 5 V，从而防止栅极电压超过增强型 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LMG1205 的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压如何，都可以承受高达 14 V 的输入电压。LMG1205具有分离栅极输出，可以灵活地独立调整导通和关断强度。
*附件：lmg1205.pdf

此外，LMG1205 的强吸收能力将栅极保持在低电平状态，防止开关期间意外导通。LMG1205 可以工作在几兆赫兹。LMG1205 采用 12 引脚 DSBGA 封装，具有紧凑的封装尺寸和最小的封装电感。

特性

• 独立的高侧和低侧 TTL 逻辑输入
• 1.2A 峰值拉电流，5A 灌电流
• 高压侧浮动偏置电压轨可在高达 100 VDC 的电压下工作
• 内部自举电源电压箝位
• 用于可调导通、关断强度的分离输出
• 0.6-Ω 下拉电阻，2.1-Ω 上拉电阻
• 快速传播时间（典型值为 35 ns）
• 出色的传播延迟匹配（典型值为 1.5 ns）
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗

参数

方框图

概述

LMG是一款由Texas Instruments（TI）生产的0V、.A至5A半桥GaN驱动器，集成了自举二极管。该驱动器设计用于驱动同步降压、升压或半桥配置中的高侧和低侧增强型GaN FET，提供独立的TTL逻辑输入、高侧浮动偏置电压轨、内部自举电源电压钳位以及可调开通和关断强度的分裂输出。

主要特性

• ‌独立的高侧和低侧输入‌：允许最大控制灵活性。
• ‌高电流能力‌：.A峰值源电流，A沉电流。
• ‌高侧浮动偏置电压‌：高达VDC。
• ‌内部自举电压钳位‌：防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。
• ‌分裂输出‌：可调开通和关断强度。
• ‌快速传播时间‌：典型值为5ns。
• ‌优秀的传播延迟匹配‌：典型值为1.5ns。
• ‌欠压锁定保护‌：确保供电电压不足时驱动器的安全操作。
• ‌低功耗‌：优化设计以降低功耗。

应用领域

• ‌电流馈电推挽转换器‌
• ‌半桥和全桥转换器‌
• ‌同步降压转换器‌
• ‌双开关正激转换器‌
• ‌带有源钳位的正激转换器‌

功能描述

输入与输出

• ‌TTL逻辑兼容输入‌：可承受高达4V的输入电压，无论VDD电压如何。
• ‌分裂栅极输出‌：提供HOH、HOL、LOH和LOL四个输出，允许独立调整开通和关断速度。
• ‌优化的输出电阻‌：.Ω下拉电阻和2.1Ω上拉电阻，适用于高频高效操作。

启动与欠压锁定

• ‌VDD欠压锁定‌：当VDD电压低于阈值时，禁用高侧和低侧输出。
• ‌自举电压欠压锁定‌：当自举电压不足时，仅禁用高侧关断输出。
• ‌迟滞功能‌：避免在供电电压波动时引起的颤动。

自举负电压与电压钳位

• ‌内部钳位电路‌：防止自举电压超过V，保护高侧GaN FET免受损坏。
• ‌负电压处理‌：解决由高侧驱动器浮动自举配置引起的负电压瞬态问题。

典型应用

LMG适用于需要高频、高效率和高功率密度的应用，如同步降压或升压转换器。其分裂栅极输出允许独立调整开通和关断速度，以满足不同应用的需求。

布局指南

• ‌最小化环路电感‌：将GaN FET尽可能靠近驱动器放置，以减小栅极驱动环路电感。
• ‌旁路电容‌：在VDD和GND引脚以及HB和HS引脚附近放置低ESR/ESL电容，以支持高速开关时的瞬态电流需求。
• ‌热设计‌：考虑驱动器的热耗散，确保适当的散热措施。