ISO5852S-EP 5.7kVrms，2.5A/5A 增强型 1 通道隔离栅极驱动器数据手册

ISO5852S-EP 器件的电压为 5.7kV RMS 、增强型隔离栅极 用于具有分离输出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET 驱动器，提供 2.5A 拉电流和 5A 灌电流 当前。输入侧由 2.25V 至 5.5V 单电源供电。输出侧允许 电源范围从最小 15V 到最大 30V。两个互补的 CMOS 输入控制输出 gate driver 的状态。76 ns 的短传播时间提供了对 output 阶段。
*附件：iso5852s-ep.pdf

内部去饱和 （DESAT） 故障检测可识别 IGBT 何时处于 overcurrent 条件。检测到 DESAT 后，静音逻辑会立即阻止 隔离器并启动软关断程序，禁用 OUTH 引脚并拉动 OUTL 引脚 在 2 μs 的时间跨度内变为低电平。当 OUTL 引脚相对于最大负值达到 2 V 时 电源电位，V EE2 系列 ，栅极驱动器输出被用力拉到 VEE2 系列电位，它会立即关闭 IGBT。

当去饱和有效时，故障信号通过隔离栅牵引发送 输入侧的 FLT 输出为低电平，并阻塞隔离器输入。静音 logic 通过 soft-OFF period 激活。FLT 输出条件 被锁存，并且只能在 RDY 引脚变为高电平后通过 RST 输入端的低有效脉冲进行复位。

当 IGBT 在双极输出电源正常工作期间关闭时， 输出为 V 硬钳位 EE2 系列 .如果输出电源为单极，则 Active 可以使用米勒箝位，允许米勒电流通过低阻抗路径吸收，该路径 防止 IGBT 在高压瞬态条件下动态导通。

栅极驱动器的运行准备情况由两个控制 用于监视输入侧和输出侧电源的欠压锁定电路。如果任一侧 supply 不足，RDY 输出变为低电平，否则此输出为高电平。

ISO5852S-EP 器件采用 16 引脚 SOIC 封装。设备作为 额定温度范围为 –55°C 至 +125°C 环境温度。

特性

• V 时的最小共模瞬态抗扰度 （CMTI） 为 100kV/μs 厘米 = 1500 伏
• 分离输出，可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
• 短传播延迟：76 ns（典型值）、110 ns（最大值）
• 2A 有源米勒箝位
• Output Short-Circuit Clamp
• 短路期间的软关断 （STO）
• 去饱和检测时的故障警报在 FLT 上发出信号，并通过 RST 复位
• 输入和输出欠压锁定 （UVLO），带就绪 （RDY） 引脚指示
• 有源输出下拉和默认低电平输出，具有低电源或浮动输入
• 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
• 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
• CMOS 兼容输入
• 抑制短于 20 ns 的输入脉冲和噪声瞬变
• 工作温度：-55°C 至 +125°C 环境温度
• 浪涌抗扰度 12800-V PK （根据 IEC 61000-4-5）
• 安全相关认证：
  • 8000 伏PKV物联网和 2121-VPKVIORM符合 DIN V VDE V 0884-10 （VDE V 0884-10）：2006-12 的增强隔离
  • 5700 伏RMS隔离 1 分钟，符合 UL 1577 标准
  • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1、IEC 60601-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
  • 所有认证均按照 UL、VDE、CQC、TUV 完成，并计划通过 CSA 认证

参数

方框图

概述

ISO2S-EP是一款由Texas Instruments（TI）生产的隔离型IGBT和MOSFET栅极驱动器，具有2.5A峰值源电流和5A峰值沉电流，适用于工业电机控制、工业电源供应、太阳能逆变器、混合动力和电动汽车功率模块以及感应加热等应用。

主要特性

• ‌ 高共模瞬态免疫（CMTI） ‌：最小CMTI为0kV/μs（在VCM=V时）。
• ‌分裂输出‌：提供.A源电流和5A沉电流。
• ‌短传播延迟‌：典型值为6ns，最大值为ns。
• ‌有源米勒钳位‌：2A有源米勒钳位，防止寄生开通。
• ‌输出短路钳位‌：保护电路免受过流损坏。
• ‌软关断功能‌：短路时实现软关断。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：输入和输出UVLO保护，带就绪（RDY）引脚指示。
• ‌宽工作温度范围‌：-°C至+5°C。
• ‌高隔离电压‌：0V RMS隔离电压，符合多项安全认证。

应用领域

• ‌工业电机控制驱动器‌
• ‌工业电源供应‌
• ‌太阳能逆变器‌
• ‌混合动力和电动汽车功率模块‌
• ‌感应加热‌

功能描述

输入与输出

• ‌CMOS兼容输入‌：可与微控制器直接接口。
• ‌分裂输出‌：OUTH和OUTL分别提供正栅极驱动电压和负栅极驱动电压。
• ‌故障报警‌：检测到脱饱和时，FLT引脚输出低电平报警信号。

保护功能

• ‌脱饱和检测‌：内部脱饱和故障检测电路，防止IGBT过流。
• ‌软关断‌：检测到故障时，实现IGBT的软关断，防止损坏。
• ‌输出短路钳位‌：在短路事件期间，钳位输出电压以防止损坏。
• ‌UVLO保护‌：输入和输出UVLO保护，确保可靠的栅极驱动。

隔离与认证

• ‌高隔离电压‌：提供V RMS的隔离电压，符合多项国际安全标准。
• ‌安全认证‌：通过VDE、UL、CSA、CQC和TUV等多项安全认证。

典型应用

ISO2S-EP适用于需要高隔离电压、高CMTI和强大保护功能的IGBT和MOSFET栅极驱动应用。典型应用包括三相逆变器、电机控制器和工业电源供应等。

布局指南

• ‌多层PCB设计‌：建议使用至少四层PCB，以实现低EMI设计。
• ‌信号层与电源层分离‌：将高速信号层与电源层分离，以减少干扰。
• ‌旁路电容‌：在输入和输出供电引脚附近放置旁路电容，以支持高速开关操作。
• ‌布局紧凑‌：将栅极驱动器和功率器件紧密布局，以减小环路电感。