ISO5851 是一款 5.7kV RMS 增强型隔离式栅极驱动器,适用于 IGBT 和 MOSFET,具有 2.5A 拉电流和 5A 灌电流。输入侧采用 3V 至 5.5V 单电源供电。输出侧允许的电源范围从最小 15 V 到最大 30 V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76 ns 的短传播时间确保了对输出级的精确控制。
内部去饱和 (DESAT) 故障检测可识别 IGBT 何时处于过载状态。检测到 DESAT 后,栅极驱动器输出被驱动至 V EE2 电位,从而立即关闭 IGBT。
*附件:iso5851.pdf
当去饱和有效时,故障信号通过隔离栅发送,将输入侧的 FLT 输出拉低并阻止隔离器输入。FLT 输出条件是锁存的,可以通过 RST 输入端的低有效脉冲进行复位。
当 IGBT 在双极输出电源正常工作期间关闭时,输出硬钳位到 V EE2。如果输出电源为单极性,则可以使用有源米勒箝位,允许米勒电流通过低阻抗路径吸收,从而防止 IGBT 在高压瞬态条件下动态导通。
当去饱和有效时,故障信号通过隔离栅发送,将输入侧的 FLT 输出拉低并阻断隔离器输入。FLT 输出条件是锁存的,可以通过 RST 输入端的低有效脉冲进行复位。
当 IGBT 在双极输出电源正常工作期间关闭时,输出硬钳位到 V EE2。如果输出电源为单极性,则可以使用有源米勒箝位,允许米勒电流通过低阻抗路径吸收,从而防止 IGBT 在高压瞬态条件下动态导通。
栅极驱动器的运行准备情况由两个欠压锁定电路控制,用于监控输入侧和输出侧电源。如果任一侧的电源不足,RDY 输出变为低电平;否则,此输出为高。
ISO5851 采用 16 引脚 SOIC 封装。器件的额定工作环境温度范围为 –40°C 至 +125°C 环境温度。
特性
- V CM = 1500V 时的最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 为 100kV/μs
- 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
- 短传播延迟:76 ns(典型值)、110 ns(最大值)
- 2A 有源米勒箝位
- Output Short-Circuit Clamp
- 去饱和检测时的故障警报在 FLT 上发出信号,并通过 RST 复位
- 输入和输出欠压锁定 (UVLO),带就绪 (RDY) 引脚指示
- 有源输出下拉和默认低电平输出,具有低电源或浮动输入
- 3V 至 5.5V 输入电源电压
- 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
- CMOS 兼容输入
- 抑制短于 20 ns 的输入脉冲和噪声瞬变
- 工作温度:-40°C 至 +125°C 环境温度
- 隔离浪涌耐受电压 12800-V PK
- 安全相关认证:
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 的 8000V PK V IOTM 和 2121V PK V IORM 增强型隔离
- 5700V RMS 隔离,持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
- CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 的 TUV 认证
- GB4943.1-2011 CQC 认证
参数

方框图

概述
ISO是一款高性能的隔离IGBT和MOSFET栅极驱动器,具有.-kV RMS的隔离电压和-kV/μs的最小共模瞬态免疫(CMTI)能力。它适用于工业电机控制、工业电源供应、太阳能逆变器、混合动力及电动汽车电源模块、感应加热等多种应用。ISO提供.-A的源电流和-A的灌电流,具有快速传播时间和过载保护功能。
主要特性
- 高隔离电压:.-kV RMS,确保电气安全。
- 高CMTI:-kV/μs的最小CMTI,增强抗干扰能力。
- 大电流驱动:.-A源电流和-A灌电流,满足高功率应用需求。
- 快速传播时间: ns,确保准确控制输出级。
- 过载保护:内置DESAT故障检测,过载时自动关断栅极输出。
- 故障指示与复位:FLT引脚输出低电平报警信号,RST引脚可重置故障状态。
- 欠压锁定(UVLO) :监测输入和输出侧电压,确保电路在足够电压下工作。
- 就绪指示:RDY引脚指示栅极驱动器是否就绪。
功能描述
供电与米勒钳位
- 支持双极性和单极性供电。在单极性供电时,米勒钳位功能可防止IGBT因寄生电容导致的意外开通。
主动输出下拉
- 在故障条件下,栅极输出被主动下拉至低电平,确保IGBT/MOSFET安全关断。
UVLO与就绪指示
- UVLO功能监测输入和输出侧电压,若任一侧电压不足,RDY引脚输出低电平。
故障与复位
- DESAT故障检测电路在检测到IGBT过载时,FLT引脚输出低电平报警信号,并关断栅极输出。RST引脚接收低电平脉冲信号以重置故障状态。
短路钳位
- 在短路情况下,内部保护电路限制栅极电流,防止损坏IGBT/MOSFET。
应用领域
- 工业电机控制
- 工业电源供应
- 太阳能逆变器
- 混合动力及电动汽车电源模块
- 感应加热
设计指南
推荐电路
- 提供了详细的推荐应用电路图,包括输入和输出侧的旁路电容、DESAT保护电路、米勒钳位电路等。
- 强调了布局和接地的重要性,以减少干扰和提高系统稳定性。
功耗与热管理
- 提供了功耗估算方法和热管理建议,确保栅极驱动器在安全工作范围内运行。
支持资源
- TI提供了详细的数据手册、应用指南、布局示例以及设计工具等资源,帮助用户更好地理解和应用ISO栅极驱动器。
- 用户可通过TI的官方网站获取最新的产品信息和技术支持。