UCC27528-Q1 器件是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够 有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。使用本质上最小化 击穿电流,UCC27528-Q1 器件可提供高达 5A 的高峰值电流脉冲 拉电流和 5A 电流沉入电容性负载以及轨到轨驱动能力和极 传播延迟小,为 17 ns(典型值)。此外,驱动程序功能与内部匹配 两个通道之间的传播延迟非常适合需要 具有关键时序的双栅极驱动器,例如同步整流器。输入引脚阈值为 基于 CMOS 逻辑,这是 VDD 电源电压的函数。之间的宽滞后 高阈值和低阈值提供出色的抗噪能力。使能引脚基于 TTL 和 CMOS 兼容逻辑,独立于 VDD 电源电压。
*附件:ucc27528-q1.pdf
UCC27528-Q1 器件是一款双通道同相驱动器。内部上拉和下拉 UCC27528-Q1 器件输入引脚上的电阻器确保在输入时输出保持低电平 引脚处于浮动状态。UCC27528-Q1 器件具有使能引脚(ENA 和 ENB),用于 更好地控制驱动程序应用程序的运行。引脚在内部上拉至 VDD 电源用于高电平有效逻辑,并且可以保持开路以进行标准作。
特性
- 适用于汽车应用
- AEC-Q100 器件温度等级 1
- 行业标准引脚输出
- 两个独立的栅极驱动通道
- 5A 峰值拉电流和灌电流驱动电流
- CMOS 输入逻辑阈值
(VDD 引脚上电源电压的函数) - 具有高抗噪
能力的迟滞逻辑阈值 - 每个输出具有独立的使能功能
- 输入和使能引脚电压电平不受
VDD 引脚偏置电源电压的限制 - 4.5V 至 18V 单电源范围
- 在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平(确保在
上电和
断电时无毛刺运行) - 快速传播延迟(典型值为 17ns)
- 快速上升和下降时间(典型值为 7ns 和 6ns)
- 2 个通道之间的 1ns 典型延迟匹配
- 当 inputs 悬空时,输出保持低电平
- SOIC-8 封装
- 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
- –5V 负电压处理能力(输入引脚)
参数

方框图

1. 产品概述
UCC8-Q是一款专为汽车应用设计的双通道、高速、低侧门驱动器,具备AEC-Q0资质。它适用于开关模式电源供应器、DC-DC转换器、电机控制以及太阳能电源等应用。该驱动器基于CMOS输入阈值逻辑,能够驱动MOSFET和IGBT功率开关,提供高达5A的峰值源电流和沉电流。
2. 主要特性
- 高电流能力:双通道均可提供5A的峰值源和沉电流。
- 宽电压范围:单一4.5V至8V供电范围,适用于多种系统设计。
- 快速响应:ns的典型传播延迟,ns的上升时间和6ns的下降时间。
- 低电压锁定(UVLO) :在VDD欠压时输出保持低电平,确保可靠启动和关闭。
- 独立使能功能:每个输出通道均具备独立的使能输入,便于灵活控制。
- 输入阈值灵活:CMOS输入阈值基于VDD供电电压,具有高噪声免疫能力。
3. 功能描述
3.1 VDD与UVLO
- 内置UVLO保护功能,当VDD电压低于阈值时,输出保持低电平。
- UVLO阈值为4.V(典型值),具有0mV的迟滞,防止电源噪声引起的误动作。
3.2 输入阶段
- 输入采用CMOS阈值逻辑,高阈值约为VDD的%,低阈值约为VDD的%。
- 输入具有高噪声免疫能力,支持慢dV/dt输入信号,便于使用RCD电路编程传播延迟。
3.3 使能功能
- 每个通道具备独立的使能输入(ENA和ENB),支持TTL和CMOS兼容逻辑。
- 使能输入内部上拉至VDD,默认状态下输出启用。
3.4 输出阶段
- 输出阶段采用独特的上拉结构,提供高峰值源电流,特别是在功率开关的米勒平台区域。
- 输出电压摆动范围从VDD到GND,提供轨到轨操作。
4. 应用指南
4.1 应用信息
- 高电流门驱动器在开关电源应用中至关重要,用于实现快速切换并减少切换功率损失。
- UCC8-Q适用于需要将PWM控制器信号电平转换为适合功率开关栅极驱动电压的应用。
4.2 典型应用
- 提供了典型应用电路图,包括PWM控制器、驱动电路和电源连接等部分。
- 强调了布局的重要性,建议将驱动器尽可能靠近功率开关放置,并使用宽迹线以减少寄生电感。
5. 电源建议
- 推荐使用.μF的陶瓷电容作为VDD旁路电容,靠近VCC和GND引脚放置。
- 为满足高电流峰值需求,建议并联一个较大的电容(如μF)。
6. 封装与订购信息
- UCC8-Q提供引脚SOIC封装,可通过TI的官方网站进行订购。