UCC27511A-Q1 器件是一款紧凑型栅极驱动器,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驱动器(缓冲电路)解决方案。UCC27511A-Q1 器件是一款汽车级单通道低侧高速栅极驱动器,适用于 MOSFET、IGBT 和 GaN 等新兴宽带隙功率器件。该器件具有快速上升时间、下降时间和传播延迟,使 UCC27511A-Q1 器件适用于高速应用。该器件具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流,具有非对称驱动功能,增强了对寄生米勒导通效应的抗扰度。分离输出配置只需两个电阻器即可轻松、独立地调整上升和下降时间,无需外部二极管。
*附件:ucc27511a-q1.pdf
特性
- 适用于汽车应用
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类 2 级
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 低成本栅极驱动器器件,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立解决方案
- 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
- 强大的灌电流提供了更强的抗米勒转向能力
- UCC27511A-Q1 中的分离输出配置(允许轻松独立地调整导通和关断速度)
- 快速传播延迟 (典型值为 13ns)
- 快速上升和下降时间(典型值为 8ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- 在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平(确保在上电和断电时无毛刺运行)
- TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑阈值 (与电源电压无关)
- 具有高抗噪能力的迟滞逻辑阈值
- 双输入设计(可选择反相 (IN– 引脚) 或非反相 (IN+ 引脚) 驱动器配置)
- 未使用的 Input Pin 可用于启用或禁用功能
- 当 Input Pins 悬空时 Output Held Low
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压限制
- 输入引脚能够承受低于 GND 引脚的 –5V DC 电压
- 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
- 6 引脚 DBV (SOT-23) 封装选项
参数

方框图

1. 产品概述
UCC1A-Q1是一款单通道高速低侧门驱动器,专为汽车应用设计,并通过了AEC-Q0认证。该驱动器提供A峰值源电流和A峰值沉电流,适用于驱动MOSFET、IGBT及新兴宽禁带功率器件(如GaN)。
2. 主要特性
- 高电流驱动能力:4A峰值源电流,8A峰值沉电流,提供不对称驱动。
- 快速响应:ns典型传播延迟,ns上升时间和ns下降时间。
- 宽电压范围:单一4.5V至8V供电范围。
- 低电压锁定(UVLO) :在VDD欠压时输出保持低电平,确保无故障启动和关闭。
- 输入逻辑兼容:TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值,独立于供电电压。
- 高噪声免疫:滞回逻辑阈值提供高噪声环境下的稳定性能。
- 双输入设计:提供反相(IN-)和非反相(IN+)输入配置,未使用输入引脚可用于使能或禁用功能。
- 紧凑封装:提供引脚DBV(SOT-3)封装选项,适合空间受限的应用。
3. 功能描述
3.1 VDD与UVLO
- 内置UVLO保护功能,当VDD电压低于阈值时,输出保持低电平。
- UVLO阈值为4.2V(典型值),具有mV迟滞,防止电源噪声引起的误动作。
3.2 输入阶段
- 输入逻辑阈值固定且独立于VDD供电电压,高阈值约为.V,低阈值约为.V。
- 宽滞回(V典型值)提供高噪声免疫能力。
- 未使用输入引脚内部上拉或下拉至固定电平,确保输出在输入引脚浮动时保持禁用状态。
3.3 输出阶段
- 采用独特的分裂输出配置(OUTH和OUTL),允许独立调整开通和关断速度。
- 输出电压摆动范围从VDD到GND,提供轨到轨操作。
- 强沉电流能力(8A)和低下拉阻抗(.Ω典型值)提供对米勒开通效应的高免疫力。
4. 应用指南
4.1 应用信息
- 高电流门驱动器在开关电源应用中用于实现快速切换和减少切换功率损失。
- UCC1A-Q1适用于需要将PWM控制器信号电平转换为适合功率开关栅极驱动电压的应用。
4.2 典型应用
- 提供了在功率因数校正(PFC)电源级中作为MOSFET门驱动器的典型应用电路图。
- 强调了布局的重要性,包括最小化高电流迹线长度、使用低电感旁路电容以及优化电流环路路径。
5. 电源建议
- 推荐使用.V至V的供电电压范围,最大不超过V(考虑V瞬态电压尖峰)。
- 建议在VDD和GND引脚之间放置两个旁路电容:一个0nF的陶瓷电容靠近引脚放置,另一个几微法的电容并联。
6. 封装与订购信息
- 提供6引脚DBV(SOT-)封装选项。
- 可通过TI官方网站订购。