UCC27533 具有 8V UVLO、35V VDD 和反相/同相输入的 2.5A/5A 单通道栅极驱动器数据手册

描述

UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用的设计允许通过非对称驱动(分离输出)提供高达 2.5A 的电流和 5A 的灌电流,并且能够支持负关断偏置、轨到轨驱动能力、极小的传播延迟(典型值为 17ns),是 MOSFET 和 IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件还支持使能、双输入以及反相和非反相输入功能。分离输出和强大的不对称驱动增强了器件对寄生米勒导通效应的免疫力,有助于减少接地去抖动。
*附件:ucc27533.pdf

保持 input pin 开路将使驱动器输出保持低电平。驱动器的 logic 行为显示在 application diagram、timing diagram 以及 input and output logic truth table 中。

VDD 引脚上的内部电路提供欠压锁定功能,将输出保持为低电平,直到 VDD 电源电压处于工作范围内。

特性

  • 低成本栅极驱动器(为驱动 FET 和 IGBT 提供最佳解决方案)
  • 分立晶体管对驱动的绝佳替代品(提供与控制器的轻松接口)
  • TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑阈值(与电源电压无关)
  • 分离输出选项允许调谐导通和关断电流
  • 反相和同相输入配置
  • 使用固定的 TTL 兼容阈值启用
  • 在 18V VDD 时,具有 2.5A 的高拉电流和 2.5A 或 5A 灌电流峰值驱动电流
  • 10 V 至 35 V 的宽 VDD 范围
  • 输入和使能引脚能够承受高达地电位以下 –5V DC 的电压
  • 当输入悬空或在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平
  • 快速传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间
    (1800pF 负载时,典型值为 15ns 和 7ns)
  • 欠压锁定 (UVLO)
  • 用作高侧或低侧驱动器(如果设计具有适当的偏置和信号隔离)
  • 低成本、节省空间的 5 引脚或 6 引脚 DBV (SOT-23) 封装选项
  • UCC27536 和 UCC27537 引脚对引脚兼容 TPS2828 和 TPS2829
  • 工作温度范围为 –40°C 至 140°C

参数
IGBT

方框图

IGBT

一、产品概述

  • 型号‌:UCC
  • 类型‌:单通道高速栅极驱动器
  • 用途‌:用于驱动MOSFET和IGBT功率开关
  • 特点‌:
    • 低成本
    • 高达2.5A源电流和A漏电流(不对称驱动)
    • TTL和CMOS兼容输入逻辑
    • 可调开通和关断电流
    • 启用(Enable)功能,具有固定TTL兼容阈值
    • 宽VDD范围:V至V
    • 输出在输入浮动或VDD欠压锁定(UVLO)时保持低电平
    • 快速传播延迟(典型值ns)
    • 快速的上升和下降时间(典型值分别为ns和7ns)

二、引脚配置与功能

  • VDD‌:偏置供电输入
  • GND‌:接地
  • IN+ ‌:非反相输入
  • IN- ‌:反相输入
  • OUT‌:.A源电流和5A漏电流输出

三、电气特性

  • UVLO‌:
    • VON:.V(典型值)
    • VOFF:.V至9.1V
    • VDD_H(滞回电压):0.7V
  • 输入阈值‌:
    • VIN_H(高阈值):.2V至.V
    • VIN_L(低阈值):.V至1.2V
    • 输入滞回:1V
  • 输出特性‌:
    • ISRC/SNK:源电流2.5A,漏电流A
    • VOH:OUTH高电平电压(IOUTH = -mA时)
    • VOL:OUTL低电平电压(IOUTL = mA时)
    • ROH:OUTH上拉电阻(典型值1Ω至2.5Ω)
    • ROL:OUTL下拉电阻(典型值.5Ω至.5Ω)

四、开关特性

  • 传播延迟‌:
    • tD1(开通传播延迟):ns至ns
    • tD2(关断传播延迟):7ns至6ns
    • tD3(反相关断传播延迟):7ns至8ns
    • tD4(反相开通传播延迟):ns至ns
  • 上升时间‌:ns(典型值)
  • 下降时间‌:7ns(典型值)

五、应用

  • 适用领域‌:
    • 开关电源
    • DC-DC转换器
    • 太阳能逆变器
    • 电机控制
    • 不间断电源(UPS)
    • 混合动力和电动汽车充电器
    • 家用电器
    • 可再生能源功率转换
    • SiC FET转换器

六、布局与热考虑

  • 布局指南‌:
    • 将驱动器尽可能靠近功率器件放置,以最小化高电流迹线的长度。
    • 在VDD和GND之间放置旁路电容器,以改善噪声滤波。
    • 最小化开通和关断电流环路路径的杂散电感。
  • 热考虑‌:
    • 封装必须允许有效散热,以保持结温在额定范围内。
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