UCC27528 具有 5V UVLO、CMOS 输入和启用功能的 5A/5A 双通道栅极驱动器数据手册

描述

UCC2752x 系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器器件 能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。使用本质上 UCC2752x 可最大限度地降低击穿电流,可提供高达 5A 源的高峰值电流脉冲 和 5A 灌入电容负载以及轨到轨驱动能力,并且非常小 传播延迟通常为 17 ns。此外,驱动程序具有匹配的内部传播 两个通道之间的延迟,非常适合需要双门的应用 具有关键时序的驱动器,例如同步整流器。input pin 阈值基于 CMOS logic,它是 VDD 电源电压的函数。高电平和低电平之间的宽滞后 阈值提供出色的抗噪性。Enable 引脚基于 TTL 和 CMOS 兼容 逻辑,与 VDD 电源电压无关。
*附件:ucc27528.pdf

UCC27528 是一个双路同相驱动器。UCC27527 采用双输入设计, 为每个 渠道。IN+ 或 IN– 引脚可用于控制驱动器输出的状态。未使用的 Input pin 可用于启用和禁用功能。为安全起见,内部上拉和 UCC2752x 系列中所有器件的输入引脚上的下拉电阻器,以确保输出 当 input pins 处于浮动状态时保持低电平。UCC27528特性 使能引脚(ENA 和 ENB) 更好地控制驱动程序应用程序的运行。引脚在内部拉动 对于高电平有效逻辑,最高可达 VDD,并且可以保持开路以进行标准作。

特性

  • 行业标准引脚输出
  • 两个独立的栅极驱动通道
  • 5A 峰值拉电流和灌电流驱动电流
  • CMOS 输入逻辑阈值 (VDD 引脚上电源电压的
    函数)
  • 具有高抗噪
    能力的迟滞逻辑阈值
  • 每个输出具有独立的使能功能
  • 输入和使能引脚电压电平不受
    VDD 引脚偏置电源电压的限制
  • 4.5V 至 18V 单电源范围
  • 在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平(确保在
    上电和
    断电时无毛刺运行)
  • 快速传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值为 7ns 和 6ns)
  • 2 个通道之间的 1ns 典型延迟匹配
  • 当 inputs 悬空时,输出保持低电平
  • SOIC-8 和 3mm × 3mm WSON-8 封装选项
  • 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
  • –5V 负电压处理能力(输入引脚)

参数
MOSFET

方框图
MOSFET

一、产品概述

  • 型号‌:UCC
  • 类型‌:双通道高速低侧栅极驱动器
  • 特点‌:
    • 基于CMOS输入阈值逻辑
    • 双独立栅极驱动通道
    • 高达5A的源电流和漏电流驱动能力
    • 滞回逻辑阈值,增强噪声免疫能力
    • 极小的传播延迟(典型值7ns)
    • 快速的上升和下降时间(典型值分别为7ns和ns)
    • 每个输出通道具有独立的使能功能
    • 输入和使能引脚电压不受VDD限制
    • VDD欠压锁定(UVLO)保护

二、引脚配置与功能

  • ENA/ENB‌:通道A/B的使能输入(低电平禁用)
  • INA/INB‌:通道A/B的非反相输入
  • OUTA/OUTB‌:通道A/B的输出
  • VDD‌:偏置供电输入
  • GND‌:接地

三、电气特性

  • VDD范围‌:4.5V至8V
  • UVLO阈值‌:
    • VON:约4.V
    • VOFF:约3.9V
    • 滞回电压:约0mV
  • 输入阈值‌:
    • VIN_H(高阈值):约%VDD
    • VIN_L(低阈值):约%VDD
    • 输入滞回:约7%VDD
  • 输出特性‌:
    • 峰值源/漏电流:±5A
    • VOH:低电平输出电压(IOUT = 0mA时)
    • VOL:高电平输出电压(IOUT = -mA时)
    • ROH:输出上拉电阻(典型值2.5Ω至.Ω)
    • ROL:输出下拉电阻(典型值0.Ω至1Ω)

四、开关特性

  • 传播延迟‌:
    • 输入到输出传播延迟:典型值ns
    • 使能到输出传播延迟:典型值ns至ns
  • 上升时间‌:典型值7ns
  • 下降时间‌:典型值6ns
  • 通道间延迟匹配‌:典型值1ns

五、应用

  • 适用领域‌:
    • 开关电源
    • DC-DC转换器
    • 电机控制
    • 太阳能电源
    • 新兴宽带隙功率器件(如GaN)的门极驱动

六、布局与热考虑

  • 布局指南‌:
    • 将驱动器尽可能靠近功率器件放置。
    • 在VDD和GND之间放置旁路电容器。
    • 最小化开通和关断电流环路路径的杂散电感。
    • 使用星型接地减少噪声耦合。
  • 热考虑‌:
    • 选择适当的封装以满足热散要求。
    • WSON-(DSD)封装提供通过暴露热垫的高效散热。
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