UCC27512 采用 SON 封装的具有 5V UVLO 和分离输出的 4A/8A 单通道栅极驱动器数据手册

描述

UCC27511 和 UCC27512 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件可以 有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。使用本质上最小化 击穿电流、UCC27511 和 UCC27512 能够拉出和吸收高峰值电流 脉冲进入电容性负载,提供轨到轨驱动能力和极小的传播 延迟,通常为 13 ns。

UCC27511 采用双输入设计,可灵活地实现两者 反相 (IN– pin) 和同相 (IN+ pin) 配置。IN+ 或 IN– 引脚可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于 启用和禁用功能。为安全起见,内部上拉和下拉电阻器 input pins 确保在 input pins 处于浮动状态时,output 保持为低电平。因此, 未使用的输入引脚不会悬空,必须适当偏置以确保驱动器输出 in enabled for normal operation(启用正常作)。
*附件:ucc27512.pdf

UCC27511 器件的输入引脚阈值基于 TTL 和 CMOS 兼容 低压逻辑是固定的,独立于 VDD 系列电源电压。 高阈值和低阈值之间的宽滞后提供了出色的抗噪性。

UCC27511 和 UCC27512 提供 4A 拉电流、8A 灌电流(非对称驱动)峰值驱动 电流能力。非对称驱动中的强大灌电流能力增强了对寄生、 Miller turnon 效应。UCC27511 器件还具有独特的分离输出配置,其中 栅极驱动电流通过 OUTH 引脚提供,并通过 OUTL 引脚吸收。这个独特的别针 配置允许用户对 OUTH 和 OUTL 施加独立的导通和关断电阻器 引脚,并轻松控制开关转换速率。

UCC27511 和 UCC27512 设计用于在较宽的 V 电压下工作DD 系列范围为 4.5 至 18 V,温度范围为 –40°C 至 140°C。 内部欠压锁定 V 上的 (UVLO) 电路DD 系列pin 将输出保持在 Out Outside 为低电平 VDD 系列作范围。能够在低电压水平下运行,例如 低于 5 V 的电压,以及一流的开关特性,特别适合驾驶 新兴的宽带隙功率开关器件,例如 GaN 功率半导体器件。

特性

  • 低成本栅极驱动器器件,可出色
    地替代 NPN 和 PNP 分立解决方案
  • 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称
    驱动器
  • 强大的灌电流提供了更
    强的抗米勒转向能力
  • UCC27511中的分离输出配置(允许轻松
    独立地调整导通和关
    断速度)可节省 1 个二极管
  • 快速传播延迟(典型值为 13ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值为 9ns 和 7ns)
  • 4.5V 至 18V 单电源范围
  • 在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平(确保在
    上电和
    断电时无毛刺运行)
  • TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑阈值
    (与电源电压无关)
  • 具有高抗噪
    能力的迟滞逻辑阈值
  • 双输入设计(可选择反相(IN– 引脚) 或同相 (IN+ 引脚)驱动器配置)
    • 未使用的 Input Pin 可用于启用或
      禁用功能
  • 当 Input 引脚悬空时,输出保持低电平
  • 输入引脚绝对最大电压电平不受
    VDD 引脚偏置电源电压限制
  • 工作温度范围为 –40°C
    至 140°C
  • 6 引脚 DBV (SOT-23) 和 6 引脚 DRS(3mm ×
    3mm WSON,带外露散热焊盘)封装
    选项

参数
功率开关

方框图
功率开关

一、产品概述

  • 型号‌:UCC
  • 类型‌:单通道、高速、低侧栅极驱动器
  • 特点‌:
    • A峰值源电流和A峰值沉电流(非对称驱动)
    • 引脚DBV(SOT-)和引脚DRS(mm x mm WSON,带裸露热垫)封装选项
    • TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值(独立于电源电压)
    • 快速传播延迟(典型值ns)
    • 快速上升和下降时间(典型值ns和ns)
    • .V至V单电源供电范围
    • 输出在VDD欠压锁定(UVLO)期间保持低电平

二、应用领域

  • 开关模式电源
  • DC-DC转换器
  • 太阳能电源、电机控制、不间断电源(UPS)
  • 新兴宽带隙功率器件(如GaN)的栅极驱动器

三、引脚配置与功能

  • VDD‌:偏置电源输入
  • GND‌:地
  • IN+ ‌:非反相输入
  • IN- ‌:反相输入
  • OUTH‌:源电流输出(仅DBV封装)
  • OUTL‌:沉电流输出(仅DBV封装)
  • OUT‌:源/沉电流输出(DRS封装)

四、电气特性

  • 供电电压范围‌:.V至V
  • 输入阈值‌:
    • 高电平阈值(VIN_H):.V至.V
    • 低电平阈值(VIN_L):.V至.V
    • 输入迟滞:.V
  • 输出特性‌:
    • 峰值源电流:A
    • 峰值沉电流:A
    • 高电平输出电压(VOH):接近VDD
    • 低电平输出电压(VOL):mV至.V
    • 输出上拉电阻(ROH):.Ω至.Ω
    • 输出下拉电阻(ROL):.Ω至.Ω

五、保护功能

  • UVLO‌:当VDD电压低于UVLO阈值时,输出保持低电平。

六、设备功能模式

  • 正常模式‌:输出状态取决于IN+和IN-引脚的状态。
  • UVLO模式‌:当VDD电压低于UVLO阈值时,设备进入UVLO模式,输出保持低电平。

七、典型应用

  • 提供了非反相和反相配置的典型应用图。
  • 详细描述了设计要求和设计过程,包括输入输出逻辑、输入阈值类型、VDD偏置供电电压、峰值源和沉电流、启用和禁用功能、传播延迟、功率耗散和封装类型等考虑因素。

八、布局指南

  • 推荐将驱动器设备尽可能靠近功率器件放置,以最小化高电流迹线的长度。
  • 推荐在VDD和GND之间放置低ESR和ESL电容器,并尽可能靠近IC。
  • 最小化开通和关断电流回路的寄生电感。
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