UCC2752x 系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器器件,能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 电源开关。UCC2752x 采用一种从本质上就将击穿电流降至最低的设计,可向容性负载提供高达 5A 拉电流和 5A 灌电流的高峰值电流脉冲,同时具有轨到轨驱动能力和极小的传播延迟(通常为 13ns)。此外,驱动器具有两个通道之间的匹配内部传播延迟。这些 delay 非常适合需要具有关键时序的双栅极驱动的 应用,例如 synchronous rectifier。这还允许将两个通道并联,以有效地提高电流驱动能力,或用一个输入信号驱动两个并联的开关。输入引脚阈值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低电压逻辑,该逻辑是固定的,独立于 VDD 电源电压。高阈值和低阈值之间的宽滞后提供了出色的抗噪性。
*附件:ucc27523.pdf
UCC2752x 系列提供三个标准逻辑选项的组合 — 双反相、双同相、一个反相和一个同相驱动器。UCC27526 采用双输入设计,可为每个通道提供灵活的反相 (IN– 引脚) 和非反相 (IN+ 引脚) 配置。IN+ 或 IN– 引脚控制驱动器输出的状态。未使用的 input 引脚用于 enable 和 disable 功能。为安全起见,UCC2752x 系列中所有器件的输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器可确保在输入引脚处于浮动状态时,输出保持为低电平。UCC27523 和 UCC27525 器件具有使能引脚(ENA 和 ENB),可以更好地控制驱动程序应用程序的运行。引脚在内部上拉至 VDD 以实现高电平有效逻辑,并保持开放状态以进行标准作。
UCC2752x 系列器件采用 SOIC-8 (D)、带外露焊盘 (DGN) 的 MSOP-8 封装和带外露焊盘 (DSD) 的 3mm × 3mm WSON-8 封装。UCC27526仅提供 3mm × 3mm WSON (DSD) 封装。
特性
- 行业标准引脚布局
- 两个独立的栅极驱动通道
- 5A 峰值拉电流和灌电流驱动电流
- 每个输出的独立启用功能
- TTL 和 CMOS 兼容逻辑阈值,与电源电压无关
- 具有高抗噪能力的迟滞逻辑阈值
- 输入和使能引脚电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- 在 VDD-UVLO 期间,输出保持低电平(确保在上电和断电时无毛刺运行)
- 快速传播延迟 (典型值为 13ns)
- 快速上升和下降时间(典型值为 7ns 和 6ns)
- 两个通道之间的 1ns 典型延迟匹配
- 两个输出并联,以实现更高的驱动电流
- 当输入悬空时,输出保持低电平
- PDIP (8)、SOIC (8)、MSOP (8) PowerPAD™ 和 3mm × 3mm WSON-8 封装选项
- 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
参数

方框图

一、产品概述
- 型号:UCC
- 类型:双通道、高速、低侧栅极驱动器
- 特点:
- A峰值源和沉驱动电流
- 独立使能功能(每个输出通道)
- TTL和CMOS兼容逻辑阈值(独立于电源电压)
- 滞回逻辑阈值,增强噪声免疫力
- 输入和使能引脚电压水平不受VDD限制
- .V至V单电源供电范围
- 输出在VDD欠压锁定(UVLO)期间保持低电平
- 快速传播延迟(典型值ns)
- 快速上升和下降时间(典型值7ns和ns)
- 两个通道之间ns的典型延迟匹配
- 提供多种封装选项:PDIP(8)、SOIC()、MSOP(8)PowerPAD™和3mm × 3mm WSON-
二、应用领域
- 开关模式电源
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 太阳能电源
- 新兴宽带隙功率器件(如GaN)的栅极驱动
三、引脚配置与功能
- ENA/ENB:使能输入,用于控制每个通道的输出
- INA/INB:输入引脚,控制相应通道的输出状态
- GND:地
- OUTA/OUTB:输出引脚,提供栅极驱动电流
- VDD:偏置电源输入
四、电气特性
- 供电电压范围:.V至V
- 输入阈值:
- 高电平阈值(VIN_H):1.9V至.V
- 低电平阈值(VIN_L):1.0V至.V
- 输入迟滞:0.7V至.V
- 使能阈值:
- 使能高阈值(VEN_H):.V至2.3V
- 使能低阈值(VEN_L):.5V至.5V
- 使能迟滞:.V至1.1V
- 输出特性:
- 峰值源/沉电流:±5A
- 高电平输出电压(VOH):接近VDD
- 低电平输出电压(VOL):接近GND
- 输出上拉电阻(ROH):2.5Ω至.Ω
- 输出下拉电阻(ROL):0.Ω至0.Ω
五、保护功能
- UVLO:当VDD电压低于UVLO阈值时,输出保持低电平,防止在电源上电和掉电时产生错误操作。
六、设备功能模式
- 正常模式:输出状态取决于输入引脚和使能引脚的状态。
- UVLO模式:当VDD电压低于UVLO阈值时,设备进入UVLO模式,输出保持低电平。
七、典型应用
- 提供了典型应用电路图,展示了如何使用UCC3驱动MOSFET。
- 详细描述了设计要求和设计过程,包括输入输出逻辑配置、使能功能、VDD偏置供电电压、传播延迟、驱动电流和功率耗散等考虑因素。
八、布局指南
- 推荐将驱动器设备尽可能靠近功率器件放置,以最小化高电流迹线的长度。
- 推荐在VDD和GND之间放置低ESR和ESL电容器,并尽可能靠近IC。
- 最小化开通和关断电流回路的寄生电感。
- 提供了布局示例和热考虑因素。