UCC27516 和 UCC27517 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件可以 有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。使用本质上最小化 击穿电流、UCC27516 和 UCC27517 可以拉出和吸收高峰值电流脉冲 电容负载提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟, 通常为 13 ns。
UCC27516 和 UCC27517 提供 4A 拉电流、4A 灌电流(对称驱动)峰值驱动 VDD = 12 V 时的电流能力。
*附件:ucc27516.pdf
UCC27516 和 UCC27517 设计用于在 4.5 至 18 V 的宽 VDD 范围内工作 以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。 内部欠压锁定 (UVLO) 电路 VDD 引脚将输出保持在 VDD 工作范围之外的低电平。能够在低电压下工作 低于 5 V 的水平以及一流的开关特性特别适合 用于驱动新兴的宽带隙功率开关器件,如 GaN 功率半导体 设备。
UCC27516 和 UCC27517 器件采用双输入设计,可提供以下灵活性 使用相同的方式实现反相(IN– 引脚)和同相(IN+ 引脚)配置 装置。IN+ 或 IN– 引脚可用于控制驱动器输出的状态。未使用的 输入引脚可用于启用和禁用功能。为安全起见,内部上拉和 输入引脚上的下拉电阻器确保在输入引脚输入时输出保持低电平 floating 条件。因此,未使用的 input pin 不会悬空,必须正确偏置到 确保 Driver Output 处于启用状态,以便正常作。
UCC27516 和 UCC27517 器件的输入引脚阈值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低电压逻辑,它是固定的,独立于 VDD 电源电压。宽 高阈值和低阈值之间的滞后提供了出色的抗噪性。
特性
- 低成本栅极驱动器器件,可出色地替代
NPN 和 PNP 分立解决方案 - 4A 峰值源电流和 4A 峰灌电流对称驱动
- 快速传播延迟(典型值为 13ns)
- 快速上升和下降时间(典型值为 9ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- 在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平(确保在上电和断电时
无毛刺运行) - TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑阈值 (与电源电压无关
) - 具有高抗噪能力的迟滞逻辑阈值
- 双输入设计(可选择反相 (IN– 引脚) 或同相 (IN+ 引脚) 驱动器配置)
- 未使用的 Input Pin 可用于 Enable 或 Disable 功能
- 当 Input 引脚悬空时,输出保持低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压限制
- 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
- 5 引脚 DBV (SOT-23) 和 6 引脚 DRS(3mm ×
3mm WSON,带外露散热焊盘)封装选项
参数

方框图

一、产品概述
- 型号:UCC
- 类型:单通道、高速、低侧栅极驱动器
- 特点:
- A峰值源和沉电流能力
- TTL和CMOS兼容低电压逻辑阈值(独立于供电电压)
- 滞回逻辑阈值,增强噪声免疫力
- 双输入设计(可配置为反相或非反相输入)
- 输出在VDD欠压锁定(UVLO)期间保持低电平
- 快速传播延迟(典型值ns)
- 快速上升和下降时间(典型值ns和ns)
- .V至V单电源供电范围
- 工作温度范围:-°C至°C
二、应用领域
- 开关模式电源
- DC-DC转换器
- 太阳能电源
- 电机控制
- 不间断电源(UPS)
- 新兴宽带隙功率器件(如GaN)的栅极驱动
三、引脚配置与功能
- IN+ :非反相输入引脚
- IN- :反相输入引脚
- GND:地
- OUT:输出引脚,提供栅极驱动电流
- VDD:偏置电源输入
四、电气特性
- 供电电压范围:.V至V
- 输入阈值:
- 高电平阈值(VIN_H):约.V
- 低电平阈值(VIN_L):约.V
- 输入迟滞:约V
- 输出特性:
- 峰值源/沉电流:A
- 高电平输出电压(VOH):接近VDD
- 低电平输出电压(VOL):接近GND
- 输出上拉电阻(ROH):Ω至Ω
- 输出下拉电阻(ROL):.Ω至.Ω
五、保护功能
- UVLO:当VDD电压低于UVLO阈值时,输出保持低电平,防止在电源上电和掉电时产生错误操作。
六、设备功能模式
- 非反相模式:当IN+引脚接收输入信号,IN-引脚接地时,输出与输入同相。
- 反相模式:当IN-引脚接收输入信号,IN+引脚接VDD时,输出与输入反相。
- 使能/禁用功能:未使用的输入引脚可用于使能或禁用输出。
七、典型应用
- 提供了典型应用电路图,展示了如何使用UCC驱动MOSFET。
- 详细描述了设计要求和设计过程,包括输入输出逻辑配置、VDD偏置供电电压、峰值源和沉电流、使能功能、传播延迟等考虑因素。
八、布局指南
- 推荐将驱动器设备尽可能靠近功率器件放置,以最小化高电流迹线的长度。
- 推荐在VDD和GND之间放置低ESR电容器,并尽可能靠近IC。
- 最小化开通和关断电流回路的寄生电感。
- 提供了布局示例和热考虑因素。
九、文档与支持
- 提供了相关技术文档、工具、软件和社区资源的链接。
- 提供了静电放电警示和术语表。