UCC27519 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 输入的 4A/4A 单通道栅极驱动器数据手册

UCC27518 和 UCC27519 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件可以 有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。使用本质上最小化 击穿电流、UCC27518 和 UCC27519 可以将高峰值电流脉冲源出和吸收到 电容性负载提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟 通常为 17 ns。

UCC27518 和 UCC27519 提供 4A 拉电流、4A 灌电流（对称驱动）峰值驱动 VDD = 12 V 时的电流能力。
*附件：ucc27519.pdf

UCC27518 和 UCC27519 设计用于在 4.5 V 至 18 V 的宽 VDD 范围内工作 以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。 内部欠压锁定 （UVLO） 电路开启 VDD 引脚将输出保持在 VDD 工作范围之外的低电平。能够在低电压下工作 低于 5 V 的水平以及一流的开关特性特别适合 用于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，如 GaN 功率半导体 设备。

UCC27518 和 UCC27519 的输入引脚阈值基于 CMOS 逻辑，其中 阈值电压是 VDD 电源电压的函数。通常输入高阈值 （V IN-H 系列 ） 为 55% VDD 系列和 Input Low Threshold （V IN-L 系列 ） 为 39% V DD 系列 .宽滞后 （16%） VDD 系列通常）提供出色的噪声 抗扰度，并允许用户使用输入 PWM 信号和 INx 之间的 RC 电路引入延迟 pin 的 intent 的 intent 的

UCC27518 和 UCC27519 在 EN 引脚上还具有可浮动的使能功能。英文 pin 可以保持 no connect 状态，这允许 UCC27518、UCC27519 和 TPS2828 分别TPS2829。EN 引脚的阈值是固定的 电压阈值，不随 V 变化DD 系列pin 偏置电压。 通常，启用高阈值 （V EN-H 系列 ） 为 2.1 V，使能为低电平 阈值 （V EN-L 系列 ） 为 1.25 V。

特性

• 低成本、栅极驱动器器件，可出色
  地替代 NPN 和 PNP 分立解决方案
• 与 TI 的 TPS2828 和
  TPS2829 器件引脚对引脚兼容
• 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流对称驱动
• 快速传播延迟（典型值为 17ns）
• 快速上升和下降时间（典型值为 8ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 单电源范围
• 在 VDD UVLO 期间，输出保持低电平（确保在上电和断电时
  无毛刺运行）
• CMOS 输入逻辑阈值 （带迟滞的电源
  电压函数）
• 具有高抗噪
  能力的迟滞逻辑阈值
• 用于启用功能的 EN 引脚（允许为 No
  Connect）
• 当 Input Pins 悬空时 Output Held Low
• 输入引脚绝对最大电压电平不受
  VDD 引脚偏置电源电压限制
• 工作温度范围为 –40°C
  至 140°C
• 5 引脚 DBV 封装 （SOT-23）

参数

方框图

一、产品概述

• ‌型号‌：UCC
• ‌类型‌：单通道、高速、低侧栅极驱动器
• ‌特点‌：
  • 提供A源和A沉电流（对称驱动）
  • CMOS输入逻辑阈值，阈值电压随VDD变化
  • 宽VDD工作范围：.V至V
  • 低传播延迟：典型值ns
  • 输出在VDD欠压锁定（UVLO）期间保持低电平
  • 具有使能（EN）引脚，允许独立控制输出

二、应用领域

• 开关模式电源
• DC-DC转换器
• 数字功率控制器的配套栅极驱动器
• 太阳能电源、电机控制、不间断电源（UPS）
• 新兴宽带隙功率器件（如GaN）的栅极驱动器

三、引脚配置与功能

• ‌EN‌：使能输入，高电平使能输出，低电平禁用输出，允许悬空以实现与TPS的引脚兼容。
• ‌GND‌：地，所有信号参考此引脚。
• ‌ IN+ ‌：非反相输入，当驱动器工作在非反相配置时，连接此引脚以启用输出。
• ‌OUT‌：驱动器的源/沉电流输出。
• ‌VDD‌：偏置供电输入。

四、电气特性

• ‌VDD工作范围‌：.V至V
• ‌输入阈值‌：
  • VIN_H（输入高阈值）：典型值%VDD
  • VIN_L（输入低阈值）：典型值%VDD
  • 输入滞回：典型值%VDD
• ‌输出特性‌：
  • 峰值源/沉电流：A
  • 高电平输出电压（VOH）：VDD - mV至mV（VDD=V时）
  • 低电平输出电压（VOL）：mV至.mV（VDD=V时）
• ‌传播延迟‌：
  • IN+到输出延迟：典型值ns（VDD=V）
  • EN到输出高电平延迟：典型值ns（VDD=V）
  • EN到输出低电平延迟：典型值ns（VDD=V）

五、保护功能

• ‌UVLO‌：欠压锁定功能，当VDD电压低于UVLO阈值时，输出被拉低。

六、设备功能模式

• ‌非反相模式‌：当IN+引脚为高电平时，OUT输出高电平；当IN+引脚为低电平时，OUT输出低电平。
• ‌使能功能‌：EN引脚为高电平时启用输出，EN引脚为低电平时禁用输出。

七、典型应用

• 提供了典型应用电路图，展示了如何使用UCC驱动功率MOSFET。
• 详细描述了设计要求和设计过程，包括输入输出逻辑配置、VDD偏置供电电压、峰值源和沉电流、传播延迟、使能功能等考虑因素。

八、布局指南

• 推荐将驱动器尽可能靠近功率MOSFET放置，以最小化栅极驱动回路的电感。
• 推荐在VDD和GND之间放置低ESR/ESL陶瓷电容器，以支持FET开通时的高峰值电流。
• 提供了布局示例和功率耗散考虑因素。