LM5114系列 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器数据手册

LM5114 设计用于驱动升压型配置中的低侧 MOSFET 或驱动 隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。具有强大的灌电流能力， LM5114 可以并联驱动多个 FET。LM5114 还具有驱动所需的功能 低侧增强模式 氮化镓 （GaN） FET。LM5114 提供反相和 同相输入，满足单个反相和同相栅极驱动要求 设备类型。LM5114 的输入与 TTL/CMOS 逻辑兼容，可承受输入电压 到 14 V，与 VDD 电压无关。LM5114 具有分离栅极输出，可灵活地实现 单独调整 Turnon 和 Turning Off 强度。LM5114 具有快速开关速度和 最小化了传播延迟，促进了高频作。LM5114 采用 6 引脚 SOT-23 封装和 6 引脚 WSON 封装，带有外露焊盘以帮助散热。
*附件：lm5114.pdf

特性

• 独立的源电流和灌电流输出，可实现
  可控的上升和下降时间
• 4V 至 12.6V 单电源
• 7.6A/1.3A 峰值灌电流和拉电流驱动电流
• 0.23-Ω 开漏下拉灌电流输出
• 2 Ω 漏极开路上拉源输出
• 12ns（典型值）传播延迟
• 反相和
  同相输入之间的匹配延迟时间
• TTL/CMOS 逻辑输入
• 0.68V 输入迟滞
• 高达 14V 的逻辑输入（与 VDD 电压无关）
• 低输入电容：2.5pF（典型值）
• –40°C 至 125°C 工作温度范围
• 与 MAX5048 引脚对引脚兼容
• 6 引脚 SOT-23 封装

参数

方框图

一、产品概述

• ‌型号‌：LM
• ‌类型‌：单通道.A峰值电流低侧栅极驱动器
• ‌特点‌：
  • 独立源和沉输出，适用于升压配置或隔离拓扑中的次级同步MOSFET驱动
  • .A峰值沉电流和.A峰值源电流能力
  • TTL/CMOS兼容逻辑输入，可承受高达V的输入电压
  • 分裂栅极输出，可独立调整开通和关断强度
  • 2ns（典型值）传播延迟
  • -0°C至5°C的工作温度范围
  • 提供SOT-和WSON封装选项

二、应用领域

• 升压转换器
• 反激和正激转换器
• 隔离拓扑中的次级同步FET驱动
• 电机控制

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：栅极驱动供电
• ‌VSS‌：地，所有信号参考此引脚
• ‌IN‌：非反相逻辑输入，未使用时连接到VDD
• ‌INB‌：反相逻辑输入，未使用时连接到VSS
• ‌P_OUT‌：源电流输出，连接到MOSFET栅极
• ‌N_OUT‌：沉电流输出，连接到MOSFET栅极
• ‌UVLO‌：欠压锁定功能，当VDD低于阈值时禁用输出

四、电气特性

• ‌VDD工作范围‌：V至.V
• ‌输入阈值‌：
  • VIN_H（输入高阈值）：LM4A为.7×VDD，LM4B为.V
  • VIN_L（输入低阈值）：LM4A为.3×VDD，LM4B为.V
  • 输入滞回：LM4A为.8V，LMB为0.V
• ‌输出特性‌：
  • 峰值源电流：.A
  • 峰值沉电流：.A
  • 输出泄漏电流：N_OUT为微安级，P_OUT为微安级
• ‌传播延迟‌：
  • 开通传播延迟：LMA为0ns（典型值），LM4B为ns（典型值）
  • 关断传播延迟：LMA为0ns（典型值），LM4B为ns（典型值）

五、保护功能

• ‌UVLO‌：欠压锁定功能，当VDD电压低于UVLO阈值时，输出被关断以防止不正常工作。

六、典型应用

• 提供了升压DC-DC转换器的典型应用电路，使用LM4驱动0V增强型GaN FET。
• 详细描述了设计要求和设计过程，包括功率耗散计算、栅极驱动电阻选择等。

七、布局指南

• 推荐将驱动器尽可能靠近MOSFET放置，以最小化栅极驱动回路的电感。
• 推荐在VDD和VSS之间放置低ESR/ESL陶瓷电容器，以支持FET开通时的高峰值电流。
• 提供了布局示例，展示了如何优化PCB布局以减少噪声和提高性能。

八、文档与支持

• 提供了相关技术文档、工具、软件和社区资源的链接。
• 提供了静电放电警示和术语表。