SM74104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 1.8A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

SM74104 高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧 采用同步降压配置的侧面 N 沟道 MOSFET。浮动高侧驱动器是 能够在高达 100V 的电源电压下工作。高压侧和低压侧栅极驱动器是 由单个输入控制。每次状态变化都以自适应方式进行控制，以防止 shoot-through 问题。除了 adaptive transition timing（自适应过渡时序）之外，额外的 delay time （延迟时间） 还可以 添加，与外部设置电阻器成正比。集成的高压二极管是 用于为高侧栅极驱动自举电容器充电。坚固的电平转换器在 高速，低功耗，并提供来自控制逻辑的干净电平转换 到高侧栅极驱动器。在低侧和高侧均提供欠压锁定 侧面电源轨。
*附件：sm74104.pdf

特性

• 可再生能源等级
• 驱动高侧和低侧 N 沟道
  MOSFET
• 具有
  可编程附加延迟的自适应上升沿和下降沿
• 单输入控制
• 自举电源电压范围高达 118V DC
• 快速关断传播延迟（典型值为 25 ns）
• 以 15 ns 的上升和下降
  时间驱动 1000 pF 负载
• 电源轨欠压锁定

典型应用

• 电流馈电推挽式电源转换器
• 高压降压稳压器
• 有源钳位正激式电源转换器
• 半桥和全桥转换器

参数

方框图

一、产品概述

• ‌型号‌：SM
• ‌类型‌：高压半桥栅极驱动器
• ‌特点‌：
  • 设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
  • 浮动高侧驱动器支持高达V的电源电压
  • 自适应上升和下降边缘，防止穿通电流
  • 单输入控制高侧和低侧输出
  • 内置高压二极管，用于自举电容充电
  • 提供欠压锁定保护

二、应用领域

• 可再生能源系统
• 电流馈电推挽功率转换器
• 高压降压调节器
• 有源箝位正向功率转换器
• 半桥和全桥转换器

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正电源输入
• ‌HB‌：高侧自举电容正极连接
• ‌HO‌：高侧输出，驱动顶部MOSFET
• ‌HS‌：开关节点引脚，连接顶部MOSFET源极
• ‌IN‌：PWM控制输入
• ‌LO‌：低侧输出，驱动底部MOSFET
• ‌RT‌：延迟定时器引脚，设置额外延迟时间
• ‌VSS‌：地引脚
• ‌N/C‌：无连接引脚

四、电气特性

• ‌ 电源电压（VDD） ‌：V至V（推荐），绝对最大值为V
• ‌ 自举电压（VHB） ‌：高达V
• ‌输入电压范围‌：
  • 低电平输入阈值（VIL）：.V至.V
  • 高电平输入阈值（VIH）：.V至.V
• ‌输出电流‌：高侧和低侧峰值均为.A（源）和.A（沉）
• ‌传播延迟‌：典型值为ns（上下沿）
• ‌上升/下降时间‌：ns（pF负载）
• ‌欠压锁定（UVLO）阈值‌：VDD为.V至.V，VHB为.V至.V

五、保护功能

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：监测VDD和VHB电压，防止在低电压条件下驱动MOSFET
• ‌自适应延迟‌：通过监测MOSFET栅极电压，防止穿通电流

六、典型应用

• 提供了在同步降压配置中驱动MOSFET的典型应用电路
• 描述了设计要求和详细设计过程，包括RT电阻的选择、外部快恢复二极管的放置等

七、布局指南

• 推荐将栅极驱动器尽可能靠近MOSFET放置，以最小化寄生电感
• 强调了接地设计的重要性，以减少噪声和提高稳定性
• 提供了布局示例，展示了组件放置和走线建议

八、文档与支持

• 提供了相关技术文档、设计资源和社区支持的链接
• 提供了静电放电警示和术语表

九、封装与可订购信息

• 提供SOIC-和WSON-两种封装选项
• 提供了详细的封装尺寸、材料、引脚分配和可订购代码信息