UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC27200-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器包括一个 120V 自举二极管以及具有独立输入的高侧和低侧驱动器，可实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器由独立控制，并在彼此的导通和关断之间匹配 1ns。
*附件：ucc27200-q1.pdf

片上自举二极管消除了外部分立二极管。高侧和低侧驱动器均提供欠压锁定，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪性 CMOS 输入阈值。

该器件采用 8 引脚 SO PowerPAD™ （DDA） 封装。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用：器件温度等级 1
• –40°C 至 +150°C 结温范围
• 在高压侧和低压侧配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
• 最大启动电压：120V
• 最大 VDD 电压：20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自举二极管
• 22ns 传播延迟时间
• 3A 灌电流、3A 拉电流输出电流
• 1000pF 负载时，上升时间 7ns 下降时间
• 1ns 延迟匹配

参数

方框图

一、产品概述

1. 基本信息

• ‌产品名称‌：UCC0-Q
• ‌类型‌：V, A/3A半桥驱动器
• ‌应用‌：汽车DC/DC转换器、OBC、电动车牵引驱动、电动助力转向、无线充电、智能玻璃模块等

2. 主要特点

• ‌AEC-Q认证‌：适用于汽车应用
• ‌高侧和低侧驱动‌：独立输入，支持半桥、全桥等拓扑结构
• ‌内部自举二极管‌：最大自举电压0V，减少外部元件
• ‌高电流能力‌：源电流和沉电流均为A
• ‌快速响应‌：ns传播延迟，8ns上升时间，ns下降时间
• ‌高噪声免疫‌：CMOS输入阈值，提高系统稳定性

二、引脚配置与功能

1. 引脚配置

• ‌VDD‌：低侧驱动电源正端
• ‌HB‌：高侧自举电源输入
• ‌HO‌：高侧驱动输出
• ‌HS‌：高侧源连接
• ‌HI‌：高侧输入
• ‌LI‌：低侧输入
• ‌LO‌：低侧驱动输出
• ‌VSS‌：负电源端，通常接地
• ‌PowerPAD‌：热增强焊盘，电连接到VSS

2. 功能描述

• ‌VDD‌：为低侧驱动电路供电
• ‌HB‌：通过自举电容为高侧驱动电路提供电源
• ‌HI/LI‌：控制高侧和低侧MOSFET的开关
• ‌HO/LO‌：分别驱动高侧和低侧MOSFET的栅极
• ‌PowerPAD‌：提高散热性能，确保长期可靠性

三、电气特性

1. 静态特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V，HB最大0V
• ‌输入阈值‌：高电平阈值约6V，低电平阈值约.V
• ‌输出电压范围‌：LO和HO输出分别相对于VSS和HS，可在一定范围内调整

2. 动态特性

• ‌传播延迟‌：典型值为ns
• ‌上升/下降时间‌：典型值分别为ns和7ns（负载pF）
• ‌输出电流‌：峰值源电流和沉电流均为A

3. 保护特性

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：VDD和HB电压低于阈值时，输出强制为低电平

四、应用与实现

1. 应用信息

• 适用于需要快速、可靠开关MOSFET的应用场景，特别是在高噪声环境中

2. 典型应用

• 提供了在半桥配置中驱动N沟道MOSFET的典型应用电路图

3. 设计要求

• 在选择和设计电路时，需考虑输入阈值、电源电压、输出电流、传播延迟、PCB布局和散热等因素

五、布局与热考虑

1. 布局指南

• ‌驱动靠近MOSFET‌：减少寄生电感和噪声
• ‌旁路电容‌：在VDD和HB引脚附近放置旁路电容，减少高频噪声
• ‌地平面‌：使用地平面提供噪声屏蔽和散热路径

2. 热考虑

• ‌热阻‌：提供了不同封装下的热阻信息，帮助计算结温
• ‌散热设计‌：推荐使用PowerPAD封装，并结合PCB上的热过孔和散热片，提高散热性能

六、封装与订购信息

1. 封装选项

• ‌ SO PowerPAD (DDA) ‌：引脚热增强型封装，适合高功率密度应用

2. 订购信息

• 提供了订购信息，包括状态、材料类型、封装尺寸、载带和卷盘信息、RoHS状态等