UCC27201 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC2720x 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器包括一个 120V 自举二极管以及具有独立输入的高侧和低侧驱动器，可实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中进行 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器由独立控制，并在彼此的导通和关断之间匹配 1ns。
*附件：ucc27201.pdf

片上自举二极管消除了外部分立二极管。高侧和低侧驱动器均提供欠压锁定，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。

UCC2720x 提供两个版本。UCC27200 具有高抗噪 CMOS 输入阈值，而 UCC27201 具有 TTL 兼容阈值。

特性

• 在高压侧和低压侧配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
• HS 上的负电压处理 （–5V）
• 最大启动电压为 120V
• 最大 VDD 电压为 20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自举二极管
• 22ns 传播延迟时间
• 3A 灌电流和 3A 拉电流输出电流
• 1000pF 负载时，上升时间 7ns 下降时间
• 1ns 延迟匹配
• 用于高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
• 额定温度范围为 –40°C 至 150°C

参数

方框图

一、产品概述

UCC1 是一款 0V、A/3A 半桥驱动器，适用于驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具备高噪声免疫 CMOS 输入阈值（UCC0 版本提供 TTL 兼容阈值）、V UVLO（欠压锁定）保护、独立的高侧和低侧输入以及快速传播延迟等特性，适用于太阳能电源优化器、微逆变器、电信和商用电源、在线和离线 UPS、储能系统以及电池测试设备等应用。

二、主要特性

• ‌高电压处理能力‌：最大自举电压 0V，最大 VDD 电压 0V。
• ‌高电流驱动能力‌：3A 沉电流和 A 源电流输出。
• ‌快速响应‌：ns 传播延迟，ns 上升时间和 ns 下降时间（0pF 负载）。
• ‌独立输入控制‌：高侧和低侧栅极驱动器具有独立输入，实现最大控制灵活性。
• ‌负电压处理能力‌：HS 引脚可处理 -V 负电压。
• ‌热增强型封装‌：提供 SOIC、PowerPAD SOIC 和 VSON 封装选项。

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正电源输入，为低侧栅极驱动器供电。
• ‌VSS‌：负电源终端，通常接地。
• ‌HB‌：高侧自举电源输入，连接自举电容的正极。
• ‌HS‌：高侧源连接，连接高侧 MOSFET 的源极和自举电容的负极。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出，连接高侧 MOSFET 的栅极。
• ‌LI‌：低侧输入，控制低侧栅极驱动器的输出。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出，连接低侧 MOSFET 的栅极。
• ‌HI‌：高侧输入，控制高侧栅极驱动器的输出。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD 为 8V 至 V，HB 为 VS 至 VDD + V。
• ‌输入阈值‌：UCC1 具有 TTL 兼容阈值，高电平输入阈值（VHIT）为 1.9V 至 2.7V，低电平输入阈值（VLIT）为 .V 至 .V。
• ‌输出特性‌：低电平输出电压（VOL/LOL）和高电平输出电压（VOH/HOH）分别为 .V 至 .V 和 VHB - 0.1V 至 VHB - .2V。
• ‌传播延迟‌：典型值为 2ns。
• ‌UVLO 阈值‌：VDD UVLO 阈值为 7.1V，具有 .V 迟滞；HB UVLO 阈值为 6.7V，具有 .V 迟滞。

五、功能描述

• ‌输入阶段‌：提供与 PWM 输出信号的接口，具有高阻抗输入和宽滞回特性。
• ‌UVLO 保护‌：监测 VDD 和 HB 至 HS 差分电压，确保在供电电压不足时禁止输出。
• ‌电平移位‌：高侧输入与高侧驱动器级之间的电平移位电路，实现与高侧 MOSFET 的有效接口。
• ‌自举二极管‌：内置 .5V VF、0.Ω RD 自举二极管，消除外部离散二极管需求。
• ‌输出阶段‌：高转换速率、低电阻和高峰值电流能力的输出驱动器，实现高效 MOSFET 开关。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：适用于半桥、全桥、两开关正向和有源钳位正向转换器等拓扑结构。
• ‌设计考虑‌：包括输入阈值类型选择、VDD 偏置电源电压、峰值源和沉电流、传播延迟和功率耗散等方面的设计要求。
• ‌布局指南‌：强调驱动器应尽可能靠近 MOSFET 放置，以减少寄生电感并提高电路性能。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供 SOIC、PowerPAD SOIC 和 VSON 封装选项。
• ‌订购信息‌：详细列出了不同封装和状态的订购代码，以及相关的封装尺寸和带卷信息。