UCC27200 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC2720x 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器包括一个 120V 自举二极管以及具有独立输入的高侧和低侧驱动器，可实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中进行 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器由独立控制，并在彼此的导通和关断之间匹配 1ns。
*附件：ucc27200.pdf

片上自举二极管消除了外部分立二极管。高侧和低侧驱动器均提供欠压锁定，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。

UCC2720x 提供两个版本。UCC27200 具有高抗噪 CMOS 输入阈值，而 UCC27201 具有 TTL 兼容阈值。

特性

• 在高压侧和低压侧配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
• HS 上的负电压处理 （–5V）
• 最大启动电压为 120V
• 最大 VDD 电压为 20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自举二极管
• 22ns 传播延迟时间
• 3A 灌电流和 3A 拉电流输出电流
• 1000pF 负载时，上升时间 7ns 下降时间
• 1ns 延迟匹配
• 用于高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
• 额定温度范围为 –40°C 至 150°C

参数

方框图

一、产品概述

UCC0是一款0V、A/3A半桥驱动器，设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。它包含高侧和低侧两个独立输入的驱动器，具有强大的控制灵活性，适用于多种电源转换拓扑结构，如半桥、全桥、两开关正向和有源钳位正向转换器。此外，UCC0还具备高噪声免疫的CMOS输入阈值。

二、主要特性

• ‌高电压处理‌：最大自举电压V，最大VDD电压0V。
• ‌高电流驱动‌：提供3A的源电流和沉电流输出。
• ‌快速响应‌：传播延迟时间为2ns，上升时间ns，下降时间7ns（0pF负载）。
• ‌独立输入‌：高侧和低侧栅极驱动器具有独立输入。
• ‌负电压处理‌：HS引脚可处理-5V负电压。
• ‌保护特性‌：内置欠压锁定（UVLO）保护，防止在低电压条件下工作。
• ‌封装选项‌：提供SOIC、PowerPAD SOIC和VSON封装选项。

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正电源输入，为低侧栅极驱动器供电。
• ‌VSS‌：负电源终端，通常接地。
• ‌HB‌：高侧自举电源输入，连接自举电容的正极。
• ‌HS‌：高侧源连接，连接高侧MOSFET的源极和自举电容的负极。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出，连接高侧MOSFET的栅极。
• ‌LI‌：低侧输入，控制低侧栅极驱动器的输出。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出，连接低侧MOSFET的栅极。
• ‌HI‌：高侧输入，控制高侧栅极驱动器的输出。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V，HB为VS至VDD+V。
• ‌输入阈值‌：CMOS兼容输入，高电平输入阈值（VHIT）为V，低电平输入阈值（VLIT）为.V。
• ‌输出特性‌：低电平输出电压（VOL/LOL）和高电平输出电压（VOH/HOH）分别为.V至0.4V和VDD-.V至VDD-0.4V（对于LO）或VHB-0.1V至VHB-0.4V（对于HO）。
• ‌传播延迟‌：典型值为ns。
• ‌UVLO阈值‌：VDD UVLO阈值为.V，具有.V迟滞；HB UVLO阈值为6.7V，具有0.4V迟滞。

五、功能描述

• ‌输入阶段‌：提供与PWM输出信号的接口，具有高阻抗输入和宽滞回特性。
• ‌UVLO保护‌：监测VDD和HB至HS差分电压，确保在供电电压不足时禁止输出。
• ‌电平移位‌：高侧输入与高侧驱动器级之间的电平移位电路，实现与高侧MOSFET的有效接口。
• ‌自举二极管‌：内置0.V VF、.5Ω RD自举二极管，消除外部离散二极管需求。
• ‌输出阶段‌：高转换速率、低电阻和高峰值电流能力的输出驱动器，实现高效MOSFET开关。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：适用于太阳能电源优化器、微逆变器、电信和商用电源、在线和离线UPS、储能系统以及电池测试设备等。
• ‌设计考虑‌：包括输入阈值类型选择、VDD偏置电源电压、峰值源和沉电流、传播延迟和功率耗散等方面的设计要求。
• ‌布局指南‌：强调驱动器应尽可能靠近MOSFET放置，以减少寄生电感并提高电路性能。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供SOIC、PowerPAD SOIC和VSON封装选项。
• ‌订购信息‌：详细列出了不同封装和状态的订购代码，以及相关的封装尺寸和带卷信息。