TPS28225 具有 4V UVLO 的 4A、27V 半桥栅极驱动器数据手册

TPS28225 是一款高速驱动器，适用于具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。该驱动器经过优化，适用于各种大电流单相和多相 DC-DC 转换器。TPS28225 是一种提供高效率、小尺寸和低 EMI 辐射的解决方案。
*附件：tps28225.pdf

该效率是通过高达 8.8V 的栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 传播延迟以及大电流 2A 拉电流和 4A 灌电流驱动能力实现的。较低栅极驱动器的 0.4Ω 阻抗将功率 MOSFET 的栅极保持在其阈值以下，并确保在高 dV/dt 相节点转换时没有击穿电流。由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。

特性

• 以 14ns 自适应死区时间驱动两个 N 沟道 MOSFET
• 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时具有最佳效率
• 宽电源系统组输入电压：3V 至 27V
• 宽输入 PWM 信号：2.0V 至 13.2V 幅度
• 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
• 高频作：14ns 传播延迟和 10ns 上升/下降时间允许 FSW – 2MHz
• 能够传播 <30ns 输入 PWM 脉冲
• 低侧驱动器吸收导通电阻 （0.4Ω） 可防止与 dV/dT 相关的击穿电流
• 用于功率级关断的 3 态 PWM 输入
• 节省空间的使能（输入）和电源良好（输出）信号位于同一引脚上
• 热关断
• UVLO 保护
• 内部自举二极管
• 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm x 3mm VSON-8 封装
• 高性能替代流行的 3 态输入驱动器

参数

方框图

一、产品概述

TPS 是一款高频同步MOSFET驱动器，设计用于驱动两个N沟道MOSFET，具有自适应死区时间、宽输入电压范围和高效率等特点。它适用于多种高电流单相和多相DC-DC转换器应用。

二、主要特性

• ‌高频操作‌：最高可达2MHz的开关频率。
• ‌宽输入电压范围‌：VDD输入电压范围为V至V，PWM输入信号幅度为.V至.V。
• ‌高效率‌：高达8.8V的栅极驱动电压和ns的自适应死区时间，提高系统效率。
• ‌低dV/dt相关穿透电流‌：低侧驱动器具有0.4Ω的阻抗，防止高dV/dt时的穿透电流。
• ‌3态PWM输入‌：支持电源级关断，具有使能（输入）和电源良好（输出）信号。
• ‌保护功能‌：包括热关断和欠压锁定（UVLO）保护。
• ‌小型封装‌：提供SOIC-8和VSON-封装选项，节省空间。

三、引脚配置与功能

• ‌UGATE‌：上栅极驱动输出，连接到高侧功率N沟道MOSFET的栅极。
• ‌LGATE‌：下栅极驱动输出，连接到低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
• ‌PWM‌：PWM信号输入，控制驱动器。
• ‌EN/PG‌：使能/电源良好输入/输出引脚。
• ‌VDD‌：V偏置电源输入。
• ‌GND‌：地引脚，所有信号均参考此节点。
• ‌PHASE‌：连接到上MOSFET的源极和下MOSFET的漏极，提供上栅极驱动器的返回路径。
• ‌BOOT‌：浮动自举电源引脚，用于上栅极驱动。

四、电气特性

• ‌UVLO阈值‌：VDD欠压锁定上升阈值典型值为.V，下降阈值典型值为3.0V。
• ‌输出阻抗‌：上栅极驱动器源阻抗典型值为1.0Ω，沉阻抗典型值为1.0Ω；下栅极驱动器源阻抗典型值为1.0Ω，沉阻抗典型值为0.4Ω。
• ‌传播延迟‌：UGATE和LGATE的关断和开启传播延迟典型值为ns。
• ‌死区时间‌：LGATE关断到UGATE开启的死区时间典型值为ns。

五、功能描述

• ‌UVLO保护‌：当VDD电压低于UVLO阈值时，驱动器禁用，外部功率FET处于关闭状态。
• ‌3态PWM输入‌：当PWM输入信号处于高阻抗状态时，驱动器将两个栅极驱动输出设置为低电平，关闭外部功率FET。
• ‌使能/电源良好信号‌：EN/PG引脚允许驱动器根据外部信号启用或禁用，并提供电源良好状态反馈。
• ‌自适应死区时间‌：确保在高低侧MOSFET之间切换时不会产生穿透电流。
• ‌热关断‌：当结温超过°C时，驱动器关闭输出，防止过热损坏。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：包括多相DC-DC转换器、桌面和服务器VRM、便携式和笔记本调节器、隔离电源的同步整流等。
• ‌设计要点‌：包括自举电容和VDD电容的选择、栅极驱动电阻的选取、布局和接地考虑等。
• ‌系统示例‌：提供了单相POL调节器、同步整流驱动器和多相同步降压转换器的应用示例。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：SOIC-和VSON-8。
• ‌订购代码‌：提供了不同封装和状态的订购代码选项。

八、文档与支持

• ‌相关文档‌：提供了应用笔记、数据手册和其他相关文档的链接。
• ‌社区资源‌：链接到TI的EE在线社区，用户可以在此获取技术支持和与其他工程师交流。

九、其他信息

• ‌安全警示‌：提醒用户注意静电放电（ESD）防护。
• ‌商标与版权‌：声明了TI的商标和版权信息。