LM5106系列 具有 8V-UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5106 是一款高压栅极驱动器，旨在驱动高侧和低侧 采用同步降压或半桥配置的侧面 N 沟道 MOSFET。浮动高侧 驱动器能够在高达 100V 的电源轨电压下工作。单控制输入兼容 具有 TTL 信号电平和单个外部电阻器来设置开关转换死区时间 通过紧密匹配的导通延迟电路。强大的电平转换技术在高 速度，同时功耗低，并提供干净的输出转换。欠压锁定 当低侧或自举高侧电源电压 低于运行阈值。LM5106 采用 VSSOP-10 或热增强型 10 引脚封装 WSON 塑料封装。
*附件：lm5106.pdf

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道
  MOSFET
• 1.8A 峰值输出灌电流
• 1.2A 峰值输出源电流
• 自举电源电压范围高达 118V DC
• 单 TTL 兼容输入
• 可编程导通延迟 （死区时间）
• 启用输入引脚
• 快速关断传播延迟（典型值为 32 ns）
• 以 15ns 的上升时间和 10ns 的下降时间驱动 1000pF
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• WSON-10（4 mm × 4 mm）和 VSSOP-10 封装

参数

方框图

一、产品概述

LM6是一款高压半桥栅极驱动器，设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET，适用于同步降压或半桥配置。该驱动器具有可编程死区时间、低功耗、高电压自举能力和欠压锁定（UVLO）保护功能。

二、主要特性

• ‌高电压能力‌：支持高达V的电源电压。
• ‌可编程死区时间‌：通过外部电阻设置死区时间，优化MOSFET的驱动信号时序。
• ‌低功耗‌：在禁用状态下具有较低的待机功耗。
• ‌高速响应‌：具有快速的关断传播延迟（典型值为ns）。
• ‌UVLO保护‌：在电源电压或自举电压低于阈值时禁用栅极驱动输出。
• ‌单输入控制‌：通过单个TTL兼容输入控制高侧和低侧MOSFET的开关。

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正栅极驱动电源引脚。
• ‌HB‌：高侧栅极驱动器自举电源引脚。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出引脚。
• ‌HS‌：高侧MOSFET源极引脚。
• ‌IN‌：栅极驱动器逻辑输入引脚。
• ‌EN‌：使能输入引脚，TTL兼容，带滞回。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出引脚。
• ‌VSS‌：地返回引脚，所有信号均参考此地。
• ‌RDT‌：死区时间编程引脚，通过连接电阻到VSS设置死区时间。
• ‌NC‌：未连接引脚。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V，HB为HS+8V至HS+4V。
• ‌输入阈值‌：IN和EN引脚的低电平输入电压阈值为0.8V至.V，高电平输入电压阈值为.V至2.2V。
• ‌输出电流‌：LO和HO引脚的峰值拉电流和灌电流均为1.2A和.A。
• ‌传播延迟‌：LO和HO引脚的关断和开启传播延迟典型值为2ns至6ns。
• ‌死区时间‌：可通过RDT引脚上的电阻调节，范围从ns至0ns。

五、功能描述

• ‌启动与UVLO保护‌：在VDD或HB电压低于UVLO阈值时，驱动器禁用输出，防止MOSFET误动作。
• ‌可编程死区时间‌：通过RDT引脚上的外部电阻设置死区时间，优化驱动信号时序，减少MOSFET间的穿透电流。
• ‌使能控制‌：EN引脚允许通过外部信号启用或禁用驱动器。
• ‌高速响应‌：快速的关断和开启传播延迟，适合高频应用。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：适用于固态电机驱动、半桥和全桥功率转换器、双开关正向功率转换器等。
• ‌设计要点‌：包括自举电容和VDD旁路电容的选择、栅极驱动电阻的选取、布局和接地考虑等。
• ‌应用曲线‌：提供了不同条件下的输出特性曲线，帮助设计者优化电路性能。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供0引脚VSSOP和WSON封装选项。
• ‌订购代码‌：提供了不同封装和状态的订购代码选项。

八、文档与支持

• ‌相关文档‌：提供了数据手册、应用笔记和其他相关文档的链接。
• ‌社区资源‌：链接到TI的支持社区，用户可以在此获取技术支持和与其他工程师交流。