LM5109系列 100V / 1A 峰值半桥栅极驱动器数据手册

LM5109 是一款低成本高电压栅极驱动器，旨在以同步降压或半桥配置驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。浮动高压侧驱动器能够在高达 100V 的电源轨电压下工作。输出由 TTL 兼容输入阈值独立控制。稳健的电平转换器技术以高速运行，同时功耗低，并提供从控制输入逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高侧电源轨均提供欠压锁定功能。该器件采用 SOIC-8 和热增强型 LLP-8 封装。
*附件：lm5109.pdf

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
• 1A 峰值输出电流 （1.0A 灌电流 / 1.0A 拉电流）
• 独立的 TTL 兼容输入
• 自举电源电压至 118V DC
• 快速传播时间（典型值为 27 ns）
• 以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000 pF 负载
• 出色的传播延迟匹配（典型值为 2 ns）
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 引脚与 ISL6700 兼容

参数

方框图

一、产品概述

LM是一款低成本、高压栅极驱动器，设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高端和低端N沟道MOSFET。它具备独立的TTL兼容输入，可提供高达A的峰值输出电流。

二、主要特性

• ‌高压驱动能力‌：支持高达V（LMA为V）的电源电压。
• ‌高输出电流‌：A峰值输出电流（.A源/.A漏）。
• ‌快速传播时间‌：典型值为ns（LMA为ns）。
• ‌独立TTL输入‌：高端和低端控制输入均与TTL输入阈值兼容。
• ‌低功耗‌：具有欠压锁定功能，降低功耗。
• ‌热增强封装‌：提供SOIC-和WSON-（mm x mm）封装选项。

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正栅极驱动电源，需使用低ESR/ESL电容本地解耦至VSS。
• ‌HI‌：高端控制输入，与TTL输入阈值兼容。
• ‌LI‌：低端控制输入，与TTL输入阈值兼容。
• ‌VSS‌：地参考，所有信号均以此为参考。
• ‌LO‌：低端栅极驱动器输出，连接至低端N-MOS设备的栅极。
• ‌HS‌：高端源连接，连接至自举电容的负端和高端N-MOS设备的源极。
• ‌HO‌：高端栅极驱动器输出，连接至高端N-MOS设备的栅极。
• ‌HB‌：高端栅极驱动器正电源轨，连接自举电容的正端。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V，HB为VHS+V至VHS+V（LMA为VHS+V）。
• ‌输入阈值‌：低电平输入电压阈值为.V至.V，高电平输入电压阈值为.V至.V。
• ‌输出特性‌：LO和HO输出在高电平和低电平时分别具有不同的电压范围，峰值拉电流和灌电流均为.A。
• ‌传播延迟‌：上下端关断和开通传播延迟典型值为ns至ns（LMA为ns至ns）。

五、功能描述

• ‌欠压锁定‌：在VDD和HB电源轨上均提供欠压锁定功能，确保在电压过低时不会损坏设备。
• ‌电平移位‌：采用稳健的电平移位技术，实现高速、低功耗的清洁电平转换。
• ‌独立控制‌：高端和低端输出独立控制，允许灵活控制MOSFET的开关时间。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：包括电流馈电推挽转换器、半桥和全桥功率转换器、固态电机驱动器、双开关正向功率转换器等。
• ‌布局考虑‌：强调低ESR/ESL电容的放置、高电流路径的最小化、接地连接的优化等，以实现最佳性能。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供SOIC-和WSON-封装选项。
• ‌订购代码‌：提供了不同封装和状态的订购代码选项。