LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器数据手册

LM27222 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 驱动器，旨在以推挽方式驱动 MOSFET 同步降压稳压器中常用的配置。LM27222 获取 PWM 输出 ，并为功率级 MOSFET 提供适当的时序和驱动电平。 自适应击穿保护可防止损坏并提高效率，从而降低击穿电流， 从而确保能够与几乎任何 MOSFET 一起使用的稳健设计。自适应 击穿保护电路还将死区时间降低至 10ns，确保 最高的运行效率。LM27222 的每个驱动器的峰值拉电流和吸收电流 分别约为 3A 和 4.5Amps，Vgs 为 5V。系统性能也通过以下方式得到增强 将传播延迟保持在 8ns。在所有负载电流下，效率再次提高 通过 LEN 引脚支持同步、非同步和二极管仿真模式。最小值 在 MOSFET 输出端实现的输出脉冲宽度低至 30ns。这将使 降压稳压器设计中具有非常高的转换比的工作频率。要支持低 电源状态在笔记本电脑系统中，当 IN 和 LEN 时，LM27222仅从 5V 电源轨吸收 5μA 的电流 inputs 为低电平或浮动。
*附件：lm27222.pdf

特性

• 自适应击穿保护
• 10ns 死区时间
• 8ns 传播延迟
• 30ns 最小导通时间
• 0.4Ω 下拉和 0.9Ω 上拉驱动器
• 4.5A 峰值驱动电流
• MOSFET 容错设计
• 5μA 静态电流
• 降压配置中的最大输入电压为 30V
• 4V 至 6.85V 工作电压
• SOIC-8 和 WSON 封装

参数

方框图

一、产品概述

LM是一款高速双N沟道MOSFET驱动器，专为同步降压（buck）转换器中的推挽配置设计。它具备自适应射极跟随保护、低传播延迟、高峰值驱动电流等特性，适用于高电流降压和升压转换器、快速瞬态DC/DC电源供应器、单端正向整流输出以及CPU和GPU核心电压调节器等应用。

二、主要特性

• ‌自适应射极跟随保护‌：防止射极跟随电流损坏，提高效率，减少射极跟随时间至ns。
• ‌低传播延迟‌：ns的传播延迟，支持高频率操作。
• ‌高峰值驱动电流‌：每路驱动器提供约A的峰值源电流和.A的峰值漏电流。
• ‌低静态电流‌：仅µA的静态电流，降低功耗。
• ‌宽输入电压范围‌：V至.V的操作电压范围。
• ‌高电压耐受‌：最大V的输入电压。
• ‌多种封装形式‌：提供SOIC-和WSON-封装选项。

三、引脚功能

• ‌SW‌：高端驱动器返回，应连接到高端和低端MOSFET的公共节点。
• ‌HG‌：高端栅极驱动输出，连接到高端MOSFET的栅极。
• ‌CB‌：自举引脚，接受自举电压以供电高端驱动器。
• ‌IN‌：接受来自控制器的PWM信号，有效高电平。
• ‌LEN‌：低端栅极使能，有效高电平。
• ‌VCC‌：连接到+V电源。
• ‌LG‌：低端栅极驱动输出，连接到低端MOSFET的栅极。
• ‌GND‌：接地。

四、电气特性

• ‌操作静态电流‌：IN=V, LEN=V时为µA；IN=V, LEN=V时为µA至µA。
• ‌高/低端驱动器的峰值拉电流和拉下电流‌：分别为A和.A。
• ‌上升和下降时间‌：约ns和ns（对于.nF负载电容）。
• ‌最小正输出脉冲宽度‌：ns。

五、功能描述

• ‌自适应射极跟随保护‌：确保高端和低端MOSFET不会同时导通，减少射极跟随电流损失，提高效率。
• ‌低传播延迟‌：支持高频操作，提高系统性能。
• ‌高峰值驱动电流‌：快速切换大功率MOSFET，减少开关损失。
• ‌多模式支持‌：支持同步、非同步和二极管仿真模式，通过LEN引脚控制。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：与LM等控制器配合使用，实现高效率、高频率的DC/DC转换。
• ‌布局指南‌：推荐将驱动器靠近MOSFET放置，使用短而粗的走线连接HG、SW、LG和GND引脚，以减少寄生电感。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：SOIC-和WSON-。
• ‌订购代码‌：提供不同封装和状态的订购代码选项，如LMM/NOPB（SOIC-封装）和LMSD/NOPB（WSON-封装）。