LM5112系列 具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器，用于双电源供电数据手册

LM5112 器件 MOSFET 栅极驱动器采用微型 6 引脚 WSON 封装（相当于 SOT-23 封装）或 8 引脚裸露焊盘 MSOP 封装，可提供高峰值栅极驱动电流，并改善高频运行所需的功率耗散。复合输出驱动器级包括并联工作的 MOS 和双极晶体管，它们共同从容性负载吸收超过 7 A 的峰值电流。结合 MOS 和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压锁定保护，以防止因栅极导通电压不足而损坏 MOSFET。LM5112 器件提供反相和非反相输入，以使用单一器件类型满足反相和非反相栅极驱动的要求。
*附件：lm5112.pdf

特性

• LM5112-Q1 符合汽车应用要求
• 符合 AEC-Q100 1 级标准
• 采用汽车级流程制造
• 复合 CMOS 和双极输出可减小输出电流变化
• 7A 灌电流和 3A 拉电流
• 快速传播时间：25 ns（典型值）
• 快速上升和下降时间：14 ns 或 12 ns
  上升或下降（2nF 负载）
• 反相和非反相输入通过单个器件提供任一配置
• 电源轨欠压锁定保护
• 专用输入接地 （IN_REF） 用于
  双电源或单电源作
• 功率增强型 6 引脚 WSON 封装
  （3 mm × 3 mm）或热增强型
  MSOP-PowerPAD 封装
• V 级输出摆幅抄送到 VEE 系列相对于输入接地为负数

参数

方框图

一、产品概述

LM2是一款高性能的MOSFET栅极驱动器，专为需要高峰值电流和快速开关的应用而设计。该驱动器提供高达7A的峰值漏电流和A的峰值源电流，适用于DC/DC开关模式电源供应器、AC/DC开关模式电源供应器、太阳能微型逆变器以及电磁铁和电机驱动等应用。LM2具备汽车级AEC-Q Grade 1认证，适用于高可靠性汽车应用。

二、主要特性

• ‌高峰值电流‌：A峰值漏电流，A峰值源电流。
• ‌快速开关速度‌：典型传播延迟ns，ns或ns的上升/下降时间（带2nF负载）。
• ‌输入灵活性‌：具备反相和非反相输入，通过单个设备即可满足不同配置需求。
• ‌供电轨欠压锁定保护‌：防止MOSFET因栅极开启电压不足而损坏。
• ‌专用输入地‌：支持分立供电或单一供电操作。
• ‌紧凑封装‌：提供引脚WSON（3mm×mm）或引脚MSOP-PowerPAD封装，适用于高频操作。

三、引脚功能

• ‌IN‌：非反相输入引脚，TTL兼容阈值。
• ‌INB‌：反相输入引脚，TTL兼容阈值。
• ‌IN_REF‌：输入地，用于分立供电配置的系统逻辑地。
• ‌VCC‌：正电源电压输入。
• ‌VEE‌：驱动输出的功率地，可连接到电源地或负栅极驱动供电。
• ‌OUT‌：栅极驱动输出，能够从VEE摆动到VCC。
• ‌N/C‌：未连接引脚。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VCC相对于IN_REF和VEE为.V至V。
• ‌欠压锁定阈值‌：VCC相对于IN_REF的欠压锁定阈值为2.4V至.V，具有mV的迟滞。
• ‌输入阈值‌：高电平阈值.V至2.3V，低电平阈值0.8V至.5V。
• ‌输出电阻‌：高电平输出电阻Ω至Ω，低电平输出电阻1.4Ω至.Ω。

五、功能描述

• ‌复合输出驱动级‌：结合MOS和双极晶体管，优化宽输出电压和操作温度范围内的电流能力。
• ‌电平移位电路‌：提供单电源或分立电源配置选项。
• ‌欠压锁定保护‌：当VCC相对于IN_REF的电压差低于2.8V时，禁用驱动器并将输出引脚保持在低电平状态。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：作为PWM控制器和主功率开关器件之间的缓冲级，用于驱动低侧MOSFET，减少开关损失。
• ‌设计指南‌：包括输入/输出逻辑配置、供电电压水平、峰值源/漏电流、负载电容和开关频率等设计考虑因素。

七、布局与热管理

• ‌布局指南‌：推荐将驱动器靠近MOSFET放置，使用短而粗的走线连接关键引脚，以减少寄生电感和EMI。
• ‌热管理‌：通过估算最坏情况下的结温，确保可靠的长期操作，利用暴露的铜焊盘进行有效散热。

八、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：6引脚WSON（mm×3mm）或8引脚MSOP-PowerPAD。
• ‌订购代码‌：提供不同封装和状态的订购代码选项，如LM2MY/NOPB（HVSSOP封装）和LM2Q1SD/NOPB（WSON封装）。