LM5111系列 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器数据手册

LM5111 双通道栅极驱动器以更高的峰值输出电流和效率取代了行业标准栅极驱动器。每个复合输出驱动器级都包括并联工作的 MOS 和双极晶体管，它们共同从容性负载中吸收超过 5A 的峰值电流。结合 MOS 和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。还提供欠压锁定保护。驱动器可以在输入和输出连接的情况下并联运行，以实现双倍的驱动电流能力。该器件采用 SOIC 封装或热增强型
MSOP-PowerPAD 封装。
*附件：lm5111.pdf

特性

• 独立驱动两个 N 沟道 MOSFET
• 复合 CMOS 和双极输出可减小输出电流变化
• 5A 灌电流和 3A 拉电流能力
• 两个通道可以并联，以实现双倍的驱动电流
• 独立输入（TTL 兼容）
• 快速传播时间（典型值为 25 ns）
• 快速上升和下降时间（2nF 负载时，上升和下降分别为 14 ns 和 12 ns）
• 提供双通道同相、双通道反相和组合配置
• 电源轨欠压锁定保护 （UVLO）ƒ
• LM5111-4 UVLO 配置为通过 OUT_A 驱动 PFET，通过 OUT_B 驱动 NFET
• 引脚与行业标准栅极驱动器兼容

参数

方框图

一、产品概述

LM1是一款双通道5A复合栅极驱动器，适用于驱动两个N沟道MOSFET。该驱动器结合了MOS和双极晶体管，以提供稳定的输出电流并减少随电压和温度变化的电流波动。LM1适用于同步整流器栅极驱动、开关模式电源供应器栅极驱动以及电磁铁和电机驱动等应用。

二、主要特性

• ‌双通道独立驱动‌：可独立驱动两个N沟道MOSFET。
• ‌复合输出‌：MOS和双极晶体管并联，提供A峰值漏电流和A峰值源电流。
• ‌多种配置选项‌：提供双非反相、双反相和组合配置选项。
• ‌快速开关速度‌：典型传播延迟ns，上升/下降时间分别为4ns和2ns（带2nF负载）。
• ‌欠压锁定保护‌（UVLO）：防止因供电电压不足而损坏MOSFET。
• ‌引脚兼容‌：与行业标准的栅极驱动器引脚兼容。

三、引脚功能

• ‌IN_A/IN_B‌：控制输入A/B，TTL兼容阈值。
• ‌OUT_A/OUT_B‌：输出A/B，能够提供源或漏电流以驱动MOSFET栅极。
• ‌VCC‌：正电源电压输入。
• ‌VEE‌：输入和输出的公共地。
• ‌NC‌：未连接引脚。
• ‌Exposed Pad‌：暴露的热焊盘，建议焊接到PCB的地平面上以辅助散热。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VCC相对于VEE为3.5V至4V。
• ‌UVLO阈值‌：VCC相对于VEE的欠压锁定阈值为2.3V至.V，具有mV的迟滞。
• ‌输入阈值‌：高电平阈值.V至2.2V，低电平阈值0.8V至.5V。
• ‌输出电阻‌：高电平输出电阻Ω至Ω，低电平输出电阻1.4Ω至.Ω。

五、功能描述

• ‌复合输出驱动级‌：优化宽输出电压和操作温度范围内的电流能力。
• ‌UVLO保护‌：当VCC低于UVLO阈值时，禁用驱动器输出。
• ‌独立输入‌：允许两个通道独立工作，或通过并联输入和输出引脚以加倍驱动电流能力。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：包括同步整流器驱动、开关模式电源供应器中的栅极驱动等。
• ‌设计指南‌：提供了VCC选择、旁路电容配置、布局和热管理等方面的设计建议。

七、布局与热管理

• ‌布局指南‌：推荐使用低ESR/ESL电容靠近IC，并保持短而宽的接地路径以减少寄生电感和电阻。
• ‌热管理‌：通过估算最坏情况下的结温来确保可靠的长期操作，利用暴露的热焊盘进行有效散热。

八、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供SOIC（8引脚）和MSOP-PowerPAD（8引脚）封装选项。
• ‌订购代码‌：包括不同配置和封装选项的订购代码，如LM-M/NOPB（SOIC封装）和LM1-1MY/NOPB（MSOP-PowerPAD封装）。