LM5105系列 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8A、1.6A 100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5105 是一款高压栅极驱动器，旨在驱动高侧和 采用同步降压或半桥配置的低侧 N 沟道 MOSFET。浮动的 高侧驱动器能够在高达 100 V 的电源轨电压下工作。单个控制输入是 兼容 TTL 信号电平，单个外部电阻器可设置开关转换 死区时间通过紧密匹配的导通延迟电路。提供高压二极管进行充电 高侧栅极驱动自举电容器。强大的电平转换技术在高 速度，同时功耗低，并提供干净的输出转换。欠压锁定 当低侧或自举的高侧电源电压 低于运行阈值。LM5105 采用热增强型 WSON 塑料 包。
*附件：lm5105.pdf

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
• 1.8A 峰值栅极驱动电流
• 自举电源电压范围高达 118V DC
• 集成自举二极管
• 单 TTL 兼容输入
• 可编程导通延迟 （死区时间）
• 启用输入引脚
• 快速关断传播延迟（典型值为 26 ns）
• 以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 封装：耐热增强型 10 引脚 WSON
  （4 mm × 4 mm）

参数

方框图

一、产品概述

LM5是一款半桥栅极驱动器，专为驱动高侧和低侧N沟道MOSFET设计，适用于同步降压或半桥配置。它提供了可编程的死区时间、高电压自举功能以及低功率消耗。

二、主要特性

• ‌高电压支持‌：高侧驱动器支持高达V的电源电压。
• ‌可编程死区时间‌：通过单个外部电阻器编程，死区时间可调范围为0ns至ns。
• ‌高电流驱动能力‌：峰值栅极驱动电流达1.8A。
• ‌自举二极管‌：集成自举二极管，简化了外部电路设计。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：独立监控高侧和低侧电源电压，确保在电压不足时禁用栅极驱动器。
• ‌低功率消耗‌：采用低功耗设计，适合高效电源管理应用。

三、引脚功能

• ‌VDD‌：正栅极驱动电源引脚。
• ‌HB‌：高侧栅极驱动器自举轨引脚。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出引脚。
• ‌HS‌：高侧MOSFET源极连接引脚。
• ‌RDT‌：死区时间编程引脚。
• ‌EN‌：使能输入引脚，用于禁用或启用驱动器。
• ‌IN‌：栅极驱动器逻辑输入引脚。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出引脚。
• ‌VSS‌：地返回引脚。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V。
• ‌静态电流‌：VDD静态电流为0.mA至0.6mA，高侧自举静态电流为0.mA至0.2mA。
• ‌输出特性‌：LO和HO引脚的高电平输出电压可达VDD或HB-HO，低电平输出电压低至0.V至0.4V。
• ‌传播延迟‌：快速关断传播延迟典型值为6ns。

五、应用信息

• ‌典型应用‌：包括固态电机驱动器、半桥和全桥功率转换器等。
• ‌设计注意事项‌：需正确设计自举电容和旁路电容，以确保高侧驱动器的可靠工作。同时，应注意布局和接地设计，以最小化噪声和干扰。

六、布局与热管理

• ‌布局指南‌：推荐使用低ESR/ESL的电容，并尽量靠近IC放置，以支持高峰值电流。高侧MOSFET和低侧MOSFET应尽可能靠近栅极驱动器放置，以减小环路电感。
• ‌热管理‌：LM5采用热增强型WSON封装，有助于改善散热性能。在设计时，应考虑散热路径和散热片的使用。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：引脚热增强型WSON封装（4mm x 4mm）。
• ‌订购代码‌：具体订购代码请参考数据手册中的订购信息部分。

八、文档与支持

• ‌数据手册‌：提供了详细的技术规格、电气特性、应用信息和封装尺寸等。
• ‌应用指南‌：可能包含额外的设计考虑、布局示例和故障排除技巧。
• ‌社区资源‌：TI提供了EE在线社区和其他支持资源，方便用户交流问题和经验。

九、安全警示

• ‌静电放电（ESD）防护‌：提醒用户在存储或处理过程中注意静电防护，以防止损坏器件。
• ‌使用注意事项‌：用户应仔细阅读数据手册中的安全警示和使用注意事项，确保正确、安全地使用产品。