瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析(2)

描述

瑞能G3 超结MOSFET

Analyzation

瑞能超结MOSFET “表现力”十足

可靠性表现

MOSFET

 

MOSFET

 

MOSFET

MOSFET

可靠性保障

•瑞能严谨执行三批次可靠性测试,确保产品品质。 

•瑞能超级结 MOSFET 在可靠性检验中,不仅展现出样本间的高度一致性,更实现了零老化问题。

•瑞能超级结 MOSFET 展现出卓越的抗静电(ESD)能力。

升温表现

测试环境

测试平台:

1200W 服务器电源

输入:   

220VAC, 50HZ

工作频率:

62KHZ

MOSFET

器件温升曲线对比

MOSFET

器件温升@100%负载

WSJ3M65R065D的温升明显低于竞品。

效率表现

MOSFET

测试平台:1200W服务器电源

输入电压:220VAC,50HZ

工作频率:62KHZ

测量结果

采用WSJ3M65R065D系统整体效率比采用 Competitor A或Competitor B提升了约0.1%。

Solution

瑞能在服务器电源中的解决方案

MOSFET

瑞能方案

MOSFET

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