SN75374 10mA/40mA 4 通道栅极驱动器数据手册

SN75374 是一个四通道 NAND 接口电路，旨在从 TTL 输入驱动功率 MOSFET。它提供高速驱动大型电容负载所需的高电流和电压。

输出可以非常接近 V 进行切换CC2 系列V 时供气轨CC3 系列比 V 高约 3 V CC2 系列 .VCC3 系列也可以直接绑定到 VCC2 系列当源电压要求较低时。
*附件：sn75374.pdf

特性

• 能够高速驱动高电容负载的四通道电路
• 输出电源电压范围为 5 V 至 24 V
• 低待机功耗
• VCC3 系列电源使输出源电压最大化

参数

一、产品概述

• ‌产品名称‌: SN
• ‌类型‌: 四重MOSFET驱动器
• ‌制造商‌: Texas Instruments (TI)
• ‌主要功能‌: 设计用于从TTL输入驱动功率MOSFET，提供高速、高电流和高电压能力以驱动大电容负载。

二、主要特性

• ‌四重电路‌: 包含四个独立的MOSFET驱动器。
• ‌高速驱动‌: 适用于高速应用，能够快速驱动大电容负载。
• ‌宽电压范围‌:
  • VCC: -.V至V
  • VCC: -.V至V
  • VCC: -.V至V
• ‌高输出电流‌: 峰值输出电流可达mA（t_w < ms，占空比<%）。
• ‌低待机功耗‌: 在待机条件下功耗较低。

三、电气特性

• ‌输入特性‌:
  • 高电平输入电压（VIH）: V
  • 低电平输入电压（VIL）: .V
• ‌输出特性‌:
  • 高电平输出电流（IOH）: -mA
  • 低电平输出电流（IOL）: mA
  • 输出钳位二极管正向电压（VF）: .V（I = mA）
• ‌延迟和传播时间‌:
  • 低到高电平输出延迟时间（tDLH）: -ns
  • 高到低电平输出延迟时间（tDHL）: -ns
  • 低到高电平传播延迟时间（tPLH）: -ns
  • 高到低电平传播延迟时间（tPHL）: -ns

四、封装与温度范围

• ‌封装选项‌:
  • PDIP (N) 封装，管脚数，工作温度范围°C至°C。
  • SOIC (D) 封装，管脚数，工作温度范围°C至°C。
• ‌热阻抗‌:
  • PDIP封装: °C/W
  • SOIC封装: °C/W
• ‌操作结温‌: 最高°C
• ‌存储温度范围‌: -°C至°C

五、应用信息

• ‌驱动功率MOSFET‌: 适用于需要高速、高电流驱动功率MOSFET的应用场景。
• ‌图腾柱输出‌: 提供快速的上升和下降时间，适用于驱动大电容负载。
• ‌电源配置‌: VCC应至少比VCC高V，以确保输出能够接近VCC供电轨。

六、功率耗散

• ‌功率计算公式‌:
  • 平均功耗（PT(AV)）: PDC(AV) + PC(AV) + PS(AV)
  • 其中，PDC(AV)为稳态功耗，PC(AV)为充电或放电负载电容时的功耗，PS(AV)为切换过程中的功耗。
• ‌示例计算‌: 在特定条件下（f = .MHz, VOH = .V, VOL = .V等），每个驱动器的总功耗约为.mW，整个封装的总功耗为.mW。