UC3709 系列功率驱动器是一种有效的低成本解决方案,可解决为功率 MOSFET 的电容栅极提供快速导通和关断的问题。这些器件采用高速肖特基工艺制成,可通过配置为最小交叉传导电流尖峰的图腾柱输出级提供高达 1.5 A 的拉电流或灌电流。
UC3709 与 MMH0026 或 DS0026 引脚兼容,虽然延迟时间较长,但电源电流远小于这些旧器件。
*附件:uc3709.pdf
通过反相逻辑,这些单元在输入端具有完全的 TTL 兼容性,输出级的摆动电压可超过 30 V。此设计还包括热关断保护。
特性
- 1.5 安培源/灌驱动
- 引脚与 0026 产品兼容
- 40 ns 上升和下降到 1000pF
- 低静态电流
- 5 V 至 40 V 工作电压
- 热保护
参数

一、产品概述
- 产品名称: UC系列
- 类型: 双高速FET驱动器
- 制造商: Texas Instruments (TI)
- 主要功能: 为功率MOSFET提供快速开启和关闭能力,适用于需要高速驱动的应用场景。
二、主要特性
- 高速驱动: 提供高达.A的源或漏电流,具有ns的上升和下降时间(pF负载)。
- 宽电压范围: 操作电压范围从V到V。
- 低功耗: 静态电流低,有助于减少功耗。
- 热保护: 内置热关断保护功能,防止过热损坏。
- 引脚兼容: 与MMH或DS引脚兼容,便于替换和升级。
三、电气特性
- 供电电压 (VCC): V
- 输出电流 (稳态): ±mA
- 峰值瞬态电流: ±.A(DW和N封装为±.A)
- 逻辑输入电压:
- 输出饱和电压:
- 高电平饱和: .V至.V(IO = -mA)
- 低电平饱和: .V至.V(IO = mA)
- 热关断阈值: °C
四、封装与温度范围
- 封装选项:
- SOIC- (DW): 工作温度范围°C至°C
- DIL- (J): 工作温度范围-°C至°C
- LCCC- (L): 工作温度范围-°C至°C
- DIL- (N): 工作温度范围-°C至°C
- 热阻:
- θjc (结到引脚): 根据封装不同,范围为°C/W至°C/W
- θja (结到环境): 根据封装和PCB类型不同,范围为°C/W至°C/W
五、应用信息
- 应用场景: 适用于需要快速、高效驱动功率MOSFET的应用,如开关电源、电机控制等。
- 图腾柱输出: 设计采用图腾柱输出结构,减少交叉传导电流尖峰,提高驱动效率。
- 示例电路: 文档中提供了多个应用电路示例,包括功率双极型驱动电路、功率MOSFET驱动电路等。