TPS20xxB-Q1 配电开关适用于可能遇到高电容负载和短路的应用。这些器件集成了 105mΩ N 沟道 MOSFET 电源开关,适用于需要在单个封装中集成多个电源开关的配电系统。每个开关都由一个逻辑使能输入控制。栅极驱动由内部电荷泵提供,旨在控制电源开关的上升时间和下降时间,以最大限度地减少开关期间的电流浪涌。该电荷泵无需外部元件,并允许在低至 2.7 V 的电源下工作。
当输出负载超过限流阈值或出现短路时,该器件通过切换到恒流模式,将过流 (OCx) 逻辑输出拉低,将输出电流限制在安全水平。当持续的严重过载和短路增加开关中的功率耗散,导致结温升高时,热保护电路会关闭开关以防止损坏。一旦器件充分冷却,就会自动从热关断中恢复。内部电路确保开关保持关闭状态,直到出现有效的输入电压。该配电开关旨在将电流限制设置为 1 A(典型值)。
*附件:tps2051b-q1.pdf
特性
- 适用于汽车应用
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类 2 级
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 器件 MM ESD 分类等级 M0
- 105mΩ 高侧 MOSFET
- 500mA 连续电流
- 热保护和短路保护
- 精确电流限制:0.75 A(最小值)、1.25 A(最大值)
- 工作范围:2.7 V 至 5.5 V
- 0.6 ms 典型上升时间
- 欠压锁定
- 抗毛刺故障报告 (OC)
- 上电期间无 OC 毛刺
- 最大待机电源电流:1 μA(单通道、双通道)或 2 μA(三通道、四通道)
- 双向开关
参数

方框图

1. 产品概述
TPS2051B-Q1是一款适用于汽车应用的限流电源分配开关,具有AEC-Q100资质。该器件集成了105-mΩ的N通道MOSFET功率开关,适用于需要多个电源开关的单封装电源分配系统。
2. 主要特性
- AEC-Q100资质:符合汽车电子委员会(AEC)的Q100标准,适用于汽车应用。
- 温度范围:工作环境温度范围为-40°C至125°C。
- 静电放电(ESD)分类:HBM ESD等级2,CDM ESD等级C6,MM ESD等级M0。
- 高侧MOSFET:具有105-mΩ的导通电阻。
- 连续电流:最大连续电流为500mA。
- 保护功能:具备热保护和短路保护功能。
- 电流限制:准确的电流限制,最小0.75A,最大1.25A。
- 工作电压范围:2.7V至5.5V。
- 上升时间:典型值为0.6ms。
- 欠压锁定:具有欠压锁定功能。
- 故障报告:去抖动故障报告(OC),上电时无OC抖动。
- 待机供电电流:最大待机供电电流为1μA(单通道)、2μA(双通道、四通道)。
- 双向开关:支持双向开关功能。
3. 应用领域
- 重电容负载:适用于可能遇到重电容负载的应用场景。
- 短路保护:提供短路保护功能,确保系统稳定性。
4. 功能描述
- 电源开关:采用N通道MOSFET,具有低导通电阻,配置为高侧开关,防止电流反向流动。
- 电荷泵:内部电荷泵为驱动电路供电,并提供必要的电压以将MOSFET的栅极拉高至源极之上。
- 驱动电路:控制MOSFET的栅极电压,限制电流涌流并减少电磁干扰(EMI)。
- 使能输入(EN) :逻辑使能输入,低电平使能电源开关,高电平禁用。
- 过流保护(OCx) :遇到过流或过热条件时,OCx开漏输出被激活(低电平有效)。
- 电流感应:使用感测FET监测负载电流,遇到过载或短路时发送控制信号至驱动电路。
- 热保护:热保护电路防止IC在长时间重过载或短路故障下损坏。
- 欠压锁定(UVLO) :输入电压低于约2V时,控制信号关闭电源开关。
5. 封装与尺寸
- 封装类型:SOIC(D)8引脚封装。
- 封装尺寸:4.90mm x 6.00mm。
6. 推荐电源与应用布局
- 输入电容:推荐在IN和GND引脚之间放置0.01-μF至0.1-μF的陶瓷旁路电容。
- 输出电容:当输出负载较重时,建议在输出引脚放置高值电解电容。
- 布局指南:旁路电容应靠近IN和GND引脚,并使用低电感迹线连接。
7. 热考虑因素
- 热阻:结到环境的热阻为124.5°C/W。
- 功率耗散:根据N通道MOSFET的rDS(ON)、输入电压和操作温度计算功率耗散。
- 结温:使用热阻和总功率耗散计算结温,并与环境温度进行比较。
8. 文档与支持
- 相关链接:提供技术文档、支持资源、工具和软件的快速访问链接。
- 更新通知:可通过订阅更新来接收文档更新的通知。
- 支持论坛:TI E2E支持论坛提供快速的设计帮助和验证答案。