TPS206x 配电开关适用于可能遇到重电容负载和短路的应用。该器件集成了 70mΩ N 沟道 MOSFET 电源开关,适用于需要在单个封装中集成单或双电源开关的配电系统。每个开关都由一个逻辑使能输入控制。栅极驱动由内部电荷泵提供,旨在控制电源开关的上升时间和下降时间,以最大限度地减少开关期间的电流浪涌。电荷泵不需要 外部组件,并允许在低至 2.7 V 的电源下工作。
*附件:tps2068.pdf
当输出负载超过限流阈值或出现短路时,该器件通过切换到恒流模式,将过流 (OCx) 逻辑输出拉低,将输出电流限制在安全水平。当持续的严重过载和短路增加开关中的功率耗散,导致结温升高时,热保护电路会关闭开关以防止损坏。一旦器件充分冷却,就会自动从热关断中恢复。内部电路确保开关保持关闭状态,直到出现有效的输入电压。电流限制通常为 2.1 A。
特性
- 70mΩ 高侧 MOSFET
- 1.5A 连续电流
- 热保护和短路保护
- 精确电流限制(最小 1.6 A,最大 2.6 A)
- 工作范围:2.7 V 至 5.5 V
- 0.6ms 典型上升时间
- 欠压锁定
- 抗毛刺故障报告 (OC)
- 上电期间无 OC 毛刺
- 1μA 最大待机电源电流
- 反向电流阻断
- TPS2060/64 温度范围:0°C 至 70°C
- TPS2068/69 DGN 封装温度范围:–40°C 至 85°C
- TPS2068 D 封装温度范围:
0°C 至 70°C - UL 认证 – 文件编号E169910
- TPS2068/69:CB 认证
- 应用
参数

方框图

1. 产品概述
TPS2068是一款由Texas Instruments(TI)生产的电流限制型电源分配开关,专为可能遇到重电容负载和短路的应用而设计。该设备集成了70 mΩ的N通道MOSFET功率开关,适用于需要单个或双个电源开关的单一封装中的电源分配系统。
2. 主要特性
- 高侧MOSFET:70 mΩ N通道MOSFET,提供1.5A的连续电流。
- 热保护和短路保护:防止过载和短路情况下损坏。
- 准确电流限制:典型值为2.1A,最小1.6A,最大2.6A。
- 工作电压范围:2.7V至5.5V。
- 典型上升时间:0.6ms。
- 欠压锁定:确保在低输入电压下不工作。
- 故障报告去抖动:OC输出无故障报告去抖动,上电时无OC抖动。
- 最大待机供电电流:1μA。
- 反向电流阻断:防止反向电流流动。
- 认证:TPS2068/69具有CB认证,TPS2068还具有UL认证。
3. 封装与温度范围
- TPS2068D:SOIC封装,温度范围0°C至70°C。
- TPS2068DGN:HVSSOP封装,温度范围-40°C至85°C。
4. 功能描述
- 电源开关:由逻辑使能输入控制,当输出负载超过电流限制阈值或发生短路时,开关将输出电流限制在安全水平,并将过电流(OCx)逻辑输出拉低。
- 电荷泵:内部电荷泵提供栅极驱动电压,无需外部组件,支持低至2.7V的供电电压。
- 热保护:连续重载或短路导致功率耗散增加,结温升高时,热保护电路将关闭开关。
- 电流感应:使用感测FET监测负载电流,提高电流测量效率。
- 欠压锁定:输入电压低于约2V时,关闭电源开关。
5. 应用领域
- 重电容负载应用:如电源管理系统。
- 短路保护:需要防止短路损坏的应用场景。
- USB应用:适用于USB主机、自供电集线器和总线供电集线器等。
- 热插拔应用:控制插入设备时的电流和电压涌流。
6. 电气特性
- 静态漏源导通电阻:在V I(IN) = 5 V,T J = 25°C时为70 mΩ至115 mΩ。
- 短路输出电流:在25°C时为1.6A至2.1A,最大可达2.6A(取决于结温和输入电压)。
- 供电电流:低电平输出时最大为0.5μA,高电平输出时最大为70μA(取决于型号和结温)。
7. 封装与尺寸
- 封装类型:SOIC(D)和HVSSOP(DGN)封装,均为8引脚。
- 封装尺寸:具体尺寸信息详见数据手册中的封装轮廓图。
8. 设计资源与支持
- 数据手册:提供了详细的电气特性、应用信息和封装尺寸。
- TI E2E论坛:提供设计帮助和专家解答。
- 更新通知:可订阅更新以接收产品文档变更通知。