IGBT功率模块动态测试中夹具杂散电感的影响

描述

在IGBT功率模块的动态测试中,夹具的杂散电感(Stray Inductance,Lσ)是影响测试结果准确性的核心因素。杂散电感由测试夹具的layout、材料及连接方式引入,会导致开关波形畸变、电压尖峰升高及损耗测量偏差。

一、杂散电感对动态测试的影响机制

开关损耗与电压尖峰

●导通阶段:杂散电感与电流变化率(di/dt)相互作用,在导通瞬间产生感应电压(Lσ⋅di/dt),导致IGBT的集-射极电压(VCE)压降增大。高杂感会降低导通di/dt,减少导通损耗(Eon),但可能引发振荡,加剧电磁干扰(EMI)。

IGBT

●关断阶段:关断时的高di/dt在杂感上产生反向电压尖峰(Vpeak=Lσ⋅di/dt+VDC),可能超过模块的反向偏置安全工作区(RBSOA)限制。例如,当杂感从23nH增至50nH时,VCE峰值可升高15%~20%,需增大关断栅极电阻(RG(off))以抑制过冲。

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二、杂感测量与夹具设计优化

1. 杂感测量方法

●双脉冲测试法:通过测量IGBT导通或关断时的电压降(ΔV)与电流变化率(di/dt),计算杂感值(Lσ=ΔV/di/dt)。导通暂态因干扰较少,更适合精确测量。

IGBT

 

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2.低感夹具设计原则

●对称布局与层叠结构:采用对称母排布局(如镜像对称或星型布局)可抵消部分磁场,降低环路电感。

●低阻抗材料:使用低电阻探针,减少导体自身电感。同时,缩短电流回路长度,避免锐角走线以降低分布电感。

●栅极驱动优化:根据杂感调整栅极电阻(RG)。

夹具杂散电感是IGBT动态测试的核心干扰源,直接影响开关损耗、电压应力。通过低感夹具设计、栅极参数优化及标准化测试流程,可显著提升测试精度与模块评估可靠性。未来需进一步探索杂感与多物理场耦合机制,推动测试技术向高精度、高鲁棒性方向发展。

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