IGBT与SiC MOSFET功率模块的失效机理、诊断方法与防护策略
解析Si IGBT与SiC MOSFET的根本区别
上海电机学院材料学院一行莅临翠展微电子参访交流
翠展微电子2025年度高光时刻回顾
翠展微电子在2025年国际应用计算电磁学会议荣获最佳学生论文奖
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构
翠展微电子与上海工程技术大学深化校企合作
翠展微电子携手上海电机学院助力功率半导体人才培养
翠展微电子荣获2025年度嘉兴市企业技术中心
翠展微电子推出全新6-powerSMD封装
GaN HEMT器件的结构和工作模式
IGBT短路振荡的机制分析
PWM逆变器的不同调制方法对比
翠展微电子加速全球化战略布局
IGBT功率模块动态测试中夹具杂散电感的影响
翠展微电子技术沙龙圆满结束
突发脉冲磁场对IGBT模块的干扰效应研究
翠展微电子完成数亿元B+轮融资
屏蔽栅MOSFET技术简介
翠展微电子荣登2023年长三角数字经济独角兽（潜在）企业榜单
