TPS51386 是一款单片 8A 同步降压转换器,具有自适应导通时间 D-CAP3 控制模式。集成的低导通电阻 DS(on) 功率 MOSFET 可实现高效率,并以最少的外部元件数量为空间受限的电源系统提供易用性。特性包括精确的参考电压、快速负载瞬态响应、用于轻负载效率的自动跳跃模式作、具有> 25kHz 开关频率的 OOA 轻负载作、具有良好线路、负载调节的 D-CAP3 控制模式,并且不需要外部补偿。
*附件:tps51386.pdf
TPS51386 提供完整的 OVP、UVP、OCP、OTP 和 UVLO 保护。该器件是电源良好信号和输出放电功能的组合。
TPS51386 支持内部和外部软启动时间选项。该器件具有 1 ms 的内部固定软启动时间。如果应用需要更长的软启动时间,则可以通过连接外部电容器来使用外部 SS 引脚来实现更长的软启动时间。
TPS51386 采用耐热增强型 12 引脚 QFN 封装,工作温度范围为 –40°C 至 125°C。
特性
- 4.5V 至 24V 输入电压范围
- 0.6V 至 5.5V 输出电压范围
- 集成 22mΩ 和 11mΩ MOSFET
- 支持 8A 连续 I OUT
- 84μA 低静态电流
- 25°C 时 ±1% 参考电压 (0.6 V)
- –40°C 至 125°C 时,基准电压为 ±1.5% (0.6V)
- 600kHz 开关频率
- D-CAP3™ 控制模式,可实现快速瞬态响应
- 支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器
- 可调软启动和内部 1ms 软启动
- 轻负载下可选择 PSM 和音频外™ (OOA) 模式,并支持即时更改
- 大型作业支持
- 电源正常指示器,用于监控输出电压
- 锁存输出 OV 和 UV 保护
- 非锁存 UVLO 和 OT 保护
- 逐周期过流保护
- 内置输出放电功能
- 小型 2.00mm × 3.00mm HotRod™ QFN 封装
参数

方框图

1. 概述
TPS51386是一款集成8A MOSFET的同步降压DC/DC转换器,具有4.5V至24V的宽输入电压范围和0.6V至5.5V的输出电压范围。该转换器采用D-CAP3™控制模式,提供快速瞬态响应和自动跳脉冲(PSM)及Out-of-Audio™(OOA)模式,适用于空间受限的电源系统。
2. 主要特性
- 宽输入电压范围:4.5V至24V。
- 输出电压范围:0.6V至5.5V。
- 集成MOSFET:内置22mΩ和11mΩ的低RDS(on)功率MOSFET。
- 高效率:支持高达8A的连续输出电流,具有低静态电流(84μA)。
- 快速瞬态响应:采用D-CAP3控制模式,无需外部补偿。
- 多模式操作:支持PSM和OOA模式,可根据负载条件动态调整。
- 保护功能:具有过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO)。
- 小型封装:采用2.00mm x 3.00mm HotRod™ QFN封装。
- 电源良好指示:内置电源良好信号输出。
3. 应用领域
- 笔记本电脑和PC计算机
- 超极本、平板电脑
- 电视和机顶盒、分布式电源系统
4. 功能描述
- D-CAP3控制模式:提供快速瞬态响应,无需外部补偿元件。
- 软启动:支持内部1ms软启动和外部可调软启动时间。
- 模式选择:通过MODE引脚选择PSM或OOA模式,支持动态切换。
- 过压和欠压保护:具有迟滞功能的OVP和UVP保护,确保输出电压稳定。
- 热关断:内置热关断保护,防止芯片过热损坏。
5. 设计注意事项
- 输出电容选择:支持POSCAP和所有MLCC输出电容,需根据负载条件和应用需求选择合适的电容值。
- 布局指南:推荐布局中包括将输入电容和输出电容尽可能靠近IC放置,以减少寄生电感和电阻。
- 散热设计:在高功率应用中,需考虑散热设计,确保芯片工作结温在允许范围内。
6. 封装和订购信息
TPS51386提供VQFN-HR(RJN)12引脚封装,具体订购信息请参考文件末尾的机械、封装和可订购信息部分。