英飞凌新一代750V SiC MOSFET产品亮点

来源：英飞凌官微

750V 碳化硅MOSFET——750V CoolSiC MOSFET车规级和工业级产品，导通电阻范围7mΩ至140mΩ

英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有业界领先的抗寄生导通能力和成熟的栅极氧化层技术，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中实现卓越性能。

此外，第二代产品大幅降低输出电容(Coss)，使其能够在Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等软开关拓扑中以更高开关频率运行。

该产品完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，包括车载充电器、DC-DC转换器、DC-AC转换器，以及AI服务器、太阳能逆变器和电动汽车充电设备。采用Q-DPAK封装可充分发挥SiC技术固有的快速开关速度，同时确保约20W的功率耗散能力。

产品亮点

CoolSiC MOSFET 750 V

稳健的750 V技术，经过测试的100%抗雪崩能力

出类拔萃的RDS(on) x Qfr

出色的 RDS(on) x Qoss 及 RDS(on) x QG

低Crss/Ciss 和高VGS(th)的独特组合

英飞凌专有裸片接合技术

提供驱动源引脚

关键特性

插件和贴片封装

集成开尔文源极

车规级器件符合AEC-Q101认证标准，工业级器件通过JEDEC认证

高度细分的产品组合：导通电阻范围8mΩ至140mΩ，支持多种封装规格

Q-DPAK顶部散热封装

顶部散热（TSC）器件是表面贴装功率器件，焊接在印刷电路板（PCB）上。半导体芯片产生的热量通过封装顶部传导至连接的散热器。TSC功率封装是改善热性能和电气性能的解决方案。这类封装还有助于提高功率密度并降低制造难度。

车规级MOSFET

“Tiny Power Box”项目由英飞凌与奥地利硅实验室（Silicon Austria Labs）联合开发，采用全英飞凌CoolSiC 解决方案，打造了一款紧凑型单相7千瓦车载充电器。