Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二极管数据手册

Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二极管使用集成N沟道功率MOSFET替代高性能肖特基二极管。该器件可轻松将OR电源结合在一起，以提高系统可靠性并防止反向导通。

数据手册：*附件：Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二极管数据手册.pdf

LTC4451可在15mV时调节正向电压，从而与肖特基二极管相比，最大限度地降低功耗。在diode-OR应用中，调节可确保平稳的电流传输而不会产生振荡。当功率MOSFET完全增强时，晶体管的R DS(ON) 为21mΩ。该功率MOSFET具有高达7A额定正向导通电流，同时耗散1.34W功率。具有快速瞬态响应的高性能栅极驱动器可最大限度地降低正向功耗和反向电流。VCC输入允许在低电压应用中工作时VIN低至接地。Analog Devices Inc. LTC4451采用小型16引脚2mm × 3mm LQFN封装。

特性

• 无需外部元件即可替代功率肖特基二极管，从而降低功耗
• 内部7A、21mΩ N沟道MOSFET
• 稳压正向电压：15mV
• 工作电流为20μA，关断电流为0.8μA
• 宽输入电压范围：0V至40V，V CC >2.75V
• 快速导通可最大限度地降低压降
• 快速反向恢复时间可最大限度地减小反向瞬态电流
• diode-OR应用中的平滑切换
• 16引脚2mm×3mm LQFN封装

应用

• 备用肖特基二极管
• 工业、医疗和消费类便携式设备
• 电池和壁式适配器二极管ORing

典型应用