TPS51367 具有超低静态电流的 3V 至 22V、12A 同步降压转换器数据手册

TPS51367 是一款集成 FET 的高压输入同步转换器，基于 DCAP-2 控制拓扑，可实现快速瞬态响应 并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。TI 专有的 FET 技术相结合 采用 TI 领先的封装技术，为单输出提供最高密度的解决方案 电源轨，例如用于 DDR 笔记本内存的 VCCIO 和 VDDQ，或任何宽负载点 （POL） 应用。

TPS51367 的主要特点是其 ULQ™ 模式，可实现低偏置电流 （100 μA in 低功耗模式，由 LP# 启用）。此功能对于较长的电池寿命非常有益 系统待机模式。
*附件：tps51367.pdf

该功能集包括 800 kHz 的开关频率。可编程软启动时间 使用外部电容器。自动跳过、预偏置启动、集成自举开关、电源正常、 使能和一整套故障保护方案，包括 OCL、UVP、OVP、5V UVLO 和热保护 关闭。

它采用 3.5 mm × 4.5 mm、0.4 mm 间距、28 引脚 QFN （RVE） 封装，额定值为 –10°C 至 85°C。

特性

• 输入电压范围：3 V 至 22 V
• 输出电压范围：0.6 V 至 2 V
• 12A 集成 FET 转换器
• 最少的外部元件
• ULQ-100™ 工作模式可在系统待机期间实现
  较长的电池寿命
• 软启动时间可由外部
  电容器编程
• 开关频率：400 kHz 和 800 kHz
• D-CAP2™ 架构支持 POSCAP
  和所有 MLCC 输出电容器的使用
• 集成和温度补偿的低侧
  导通电阻感应，用于精确的 OCL 保护
• Powergood 输出
  OCL、OVP、UVP 和 UVLO 保护
• 热关断（非锁存）
• 输出放电功能
• 集成升压 MOSFET 开关
• 28 引脚、3.5mm × 4.5mm、RVE、QFN 封装
  ，间距为 0.4mm，高度为 1mm
  参数
  
  方框图

1. 产品概述

TPS51367是一款高电压输入、集成FET的同步降压DC/DC转换器，具有超低静态电流（ULQ™）模式，适用于需要长待机时间的系统。该转换器基于DCAP-2™控制拓扑，支持快速瞬态响应，并兼容POSCAP和所有MLCC输出电容器。

2. 主要特性

• ‌输入电压范围‌：3V至22V
• ‌输出电压范围‌：0.6V至2V
• ‌集成12A FET‌：减少外部组件数量
• ‌超低静态电流模式‌：100μA（由LP#引脚启用），延长电池寿命
• ‌开关频率‌：400kHz和800kHz可选
• ‌DCAP-2™架构‌：无需补偿即可实现稳定环路操作
• ‌全面的故障保护‌：包括过流保护（OCL）、过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）和热关机
• ‌小型封装‌：28引脚、3.5mm x 4.5mm QFN封装

3. 应用领域

• 笔记本电脑（VCCIO）
• 内存电源轨（DDR VDDQ）
• 任何点负载（POL）应用

4. 功能描述

• ‌自适应导通时间控制‌：通过DCAP-2™实现快速瞬态响应
• ‌软启动时间可编程‌：通过外部电容器设置
• ‌电源良好输出‌（PGOOD）：指示输出电压达到稳定状态
• ‌集成升压MOSFET开关‌：用于内部偏置电压生成
• ‌自动跳脉冲功能‌：在轻载条件下提高效率

5. 电气特性

• ‌工作温度范围‌：-10°C至85°C
• ‌静态电流‌：100μA（在ULQ™模式下）
• ‌参考电压‌：2V（VREF引脚）
• ‌过流限制‌：可编程，最高可达18A
• ‌热关机温度‌：140°C

6. 典型应用电路

• 提供了多个典型应用电路，包括VCCIO、DDR3L VDDQ和DDR3 VDDQ应用。
• 详细说明了外部组件的选型和设计步骤，包括电感器、输入/输出电容器和软启动电容器的选择。

7. 布局指南

• 强调了PCB布局对转换器性能的重要性。
• 提供了布局示例和关键布局准则，以确保最佳性能和可靠性。

8. 文档与支持

• 提供了详细的数据手册、应用指南和参考设计。
• TI的WEBENCH™工具支持快速设计和优化。

9. 封装与订购信息

• 提供了关于封装类型、引脚配置、订购代码和包装信息的详细表格。
• 强调了不同封装选项的RoHS状态和峰值回流温度。