这 TPS50601-SP 是一款抗辐射、6.3V、6A 同步降压转换器,其 通过高效率并集成高侧和低侧,针对小型设计进行优化 MOSFET 的通过电流模式控制进一步节省空间,从而减少元件 计数和高开关频率,从而减少了电感器的占用空间。提供 采用热增强型 20 引脚陶瓷双列直插式扁平封装。
输出电压启动斜坡由 SS/TR 引脚控制,允许以 要么是独立电源,要么是在跟踪情况下。电源排序也可以通过以下方式实现 正确配置 Enable 和 Open Drain Power Good 引脚。
*附件:tps50601-sp.pdf
高侧 FET 上的逐周期电流限制可在过载时保护器件 情况,并通过防止电流失控的低侧拉电流限制得到增强。 还有一个低侧灌电流限制,可关闭低侧 MOSFET,以防止 反向电流过大。当芯片温度超过热温度时,热关断功能会禁用该器件 关机温度。
特性
- 5962R10221:
- 抗辐射保证 (RHA) 高达 TID 100 krad (Si)
- 无 ELDRS 100 克拉德 (Si) – 10 mRAD(Si)/秒
- 单粒子闩锁 (SEL) 抗LET = 85 MeV-cm ^2^ /mg(见辐射报告,http://www.ti.com/radiation)
- SEB 和 SEGR 对 85 MeV-cm 的免疫力 ^2^ /mg,可用的 SOA 曲线(参见辐射报告)
- 提供 SET/SEFI 横截面图(见辐射报告)
- 峰值效率:95% (V
O = 3.3 V) - 集成 55mΩ/50mΩ MOSFET
- 分离电源轨:1.6 至 6.3 V(PVIN)
- 电源轨:VIN 上为 3 至 6.3 V
- 6A 最大输出电流
- 灵活的开关频率选项:
- 100kHz 至 1MHz 可调内部振荡器
- 外部同步能力:100 kHz 至 1 MHz
- 同步引脚可配置为 500kHz 输出,用于主/从应用
- 25°C 时为 0.795V ±1.258% 电压基准
- 单调启动至预偏置输出
- 通过外部电容器实现可调软启动
- 用于电源排序的输入使能和电源就绪输出
- 用于欠压和过压的电源良好输出监视器
- 可调输入欠压锁定 (UVLO)
- 20 引脚热增强型陶瓷扁平封装 (HKH)
参数

方框图

1. 产品概述
TPS50601-SP是一款辐射硬化型同步降压转换器,专为空间卫星的点负载供电设计,适用于FPGA、微控制器和ASIC等应用。该转换器具有高达6A的最大输出电流,输入电压范围为1.6V至6.3V,并能在恶劣的辐射环境中稳定工作。
2. 主要特性
- 辐射硬化:TID 100krad (Si),ELDRS Free,SEU、SEB和SEGR免疫。
- 宽输入电压范围:1.6V至6.3V(PVIN),3V至6.3V(VIN)。
- 高效率:峰值效率可达95%(VOUT = 3.3V)。
- 高输出电流:最大6A输出电流。
- 灵活的开关频率:100kHz至1MHz可调,支持外部同步。
- 集成MOSFET:集成55mΩ/50mΩ MOSFET,优化小尺寸设计。
- 保护功能:过流保护、过压保护、欠压锁定、热关断。
3. 应用领域
4. 功能描述
- 启动与软启动:支持单调启动至预偏置输出,可通过外部电容实现可调软启动。
- 电流限制:具有周期电流限制功能,防止过载情况。
- 电压监控:PWRGD引脚监控输出电压,提供过压和欠压指示。
- 热关断:内置热关断电路,防止过热损坏。
5. 电气特性
- 工作结温范围:-55°C至125°C。
- 电压参考:0.795V ±1.258%(25°C)。
- MOSFET导通电阻:高侧55mΩ(BOOT-PH = 2.2V),低侧50mΩ(VIN = 6.3V)。
- 热关断温度:175°C(典型值)。
6. 设计指南
- 输出电感选择:根据负载电流和纹波要求选择合适的电感值。
- 输出电容选择:考虑负载瞬态响应和输出电压纹波,选择合适的电容值和ESR。
- 输入电容:建议在PVIN和VIN引脚旁使用至少4.7μF的陶瓷电容。
- 软启动电容:根据所需的软启动时间选择合适的电容值。
7. 布局建议
- 旁路电容:PVIN和VIN引脚应使用低ESR陶瓷电容旁路至地。
- 电感与电容:输出电感应靠近PH引脚,输出电容应靠近SW_IN引脚。
- 热管理:确保足够的散热面积,以保持良好的热性能。
8. 封装与尺寸
- 封装类型:20引脚陶瓷扁平封装(CFP)。
- 尺寸:7.38mm x 12.70mm。