新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET

新品

650V CoolMOS 8超结 (SJ)

 MOSFET

 

英飞凌推出全新650V CoolMOS 8引领全球高压超结SJ MOSFET技术，为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V电压裕量，有助于满足数据中心和电信应用中交流输入电压提升至277V的要求。此外，它还能为电动汽车充电和固态断路器（SSCB）应用提供额外的浪涌保护。我们的650V CoolMOS 8 SJ MOSFET集成了快速体二极管，使其适用于各种高功率应用场景，是CoolMOS 7 MOSFET（包括C7和CFD7系列）的升级换代的最佳选择。

 

产品型号：

■ IPDQ65R008CM8

■ IPDQ65R018CM8

■ IPT65R018CM8

■ IPT65R025CM8

■ IPT65R040CM8

■ IPW65R018CM8

 

■ IPW65R025CM8

■ IPW65R040CM8

■ IPW65R060CM8

■ IPZA65R018CM8

■ IPZA65R025CM8

■ IPZA65R040CM

 

 

产品特点

 

业界领先的RDS(on)*A

集成快速体二极管

出色的换向耐用性

先进的互连技术

完整产品组合含8mΩ BiC

顶部散热封装设计

 

竞争优势

 

业界领先的RDS(on)*A

Qrr反向恢复电荷性能显著提升

trr反向恢复时间较同类产品缩短35%

采用QDPAK等顶部散热封装技术

卓越的品质

增强型宽禁带（WBG）半导体解决方案

QDPAK封装8mΩ系列产品

 

应用价值

 

低振铃特性

简化设计、缩短开发周期

产品线清晰完善

系统级创新

 

应用领域

 

数据中心

电信设备

超固态解决方案（继电器/断路器）

电动汽车充电

不间断电源UPS

工业SMPS