新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品

新品

采用ThinTOLL 8x8封装的

CoolSiC 650V G2 SiC MOSFET

新增26mΩ，33mΩ产品

 

第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。

 

ThinTOLL封装是标准8x8尺寸下发挥CoolSiC G2芯片性能的最佳方案。该封装技术突破了8x8尺寸的热循环极限，并通过优化.XT互连结构显著降低热阻，在保持8x8mm超小尺寸的同时，充分发挥了碳化硅材料的性能优势，实现了功率密度的革命性突破。

 

产品型号：

■ IMTA65R026M2H

■ IMTA65R033M2H

 

 

框图

 

 

产品特点

 

卓越的品质因数（FOMs）

同类最优导通电阻（RDS(on)）

高可靠性、高品质

灵活的驱动电压范围

支持单极驱动（VGS(off)=0）

先进的.XT扩散焊封装互连技术

全系列8x8封装FET引脚兼容

热循环可靠性TCoB提升4倍

 

应用价值

 

BOM成本优化

单位成本最优系统性能

最高可靠性，延长使用寿命

顶尖能效与功率密度

紧凑尺寸，更高功率密度

高度集成的子卡设计

 

应用领域

 

智能电视系统解决方案

暖通空调

家用电器

微型逆变器解决方案

电能转换