LM5015系列 4.25-75V，单片双开关正向DC-DC稳压器数据手册

LM5015 高压开关模式稳压器 具有 使用 最少的外部组件。这款易于使用的稳压器集成了高压侧和低压侧 75 具有最小 1 A 峰值电流限制的电压 N 沟道 MOSFET。MOSFET 两端的电压 在双开关拓扑中采用的被箝位到输入电压，从而允许输入电压 范围接近 MOSFET 的额定值。稳压器控制方法基于电流模式 控制提供固有的环路补偿和线路前馈，以实现卓越的抑制 的输入瞬变。

工作频率由单个电阻器设置，可编程至 750 kHz。 振荡器也可以与外部 clock同步。其他保护功能 包括逐周期电流限制、热关断、欠压锁定和远程 shutdown 功能。该器件采用 HTSSOP-14EP 封装，具有外露裸片 附焊盘以增强散热。
*附件：lm5015.pdf

特性

• 双通道集成 75V N 沟道 MOSFET
• 超宽输入电压范围：4.25V 至 75V
• 集成高压偏置稳压器
• 可调输出电压
• 1.5% 反馈基准准确度
• 具有可选补偿的电流模式控制
• 宽带宽误差放大器
• 集成电流感应和限流
• 50% 最大占空比限制
• 单电阻振荡器编程
• 振荡器同步功能
• 可编程软启动
• 使能/欠压锁定 （UVLO） 引脚
• 热关断

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
LM5015是德州仪器（TI）推出的高电压开关模式稳压器，集成双路75V N沟道MOSFET，适用于双开关正向或双开关反激拓扑结构。其核心特点包括：

• ‌超宽输入电压范围‌：4.25V至75V
• ‌高集成度‌：内置高压偏置稳压器、电流模式控制、同步振荡器及热保护功能
• ‌关键参数‌：1.5%反馈精度、50%最大占空比限制、可编程软启动

‌2. 主要特性‌

• ‌功率管理‌：集成75V MOSFET（高/低侧各1个），峰值电流限制1.2A
• ‌控制模式‌：电流模式控制，支持外部同步（最高750kHz）
• ‌保护机制‌：逐周期电流限制、欠压锁定（UVLO）、热关断（165°C触发）
• ‌封装‌：HTSSOP-14EP（带散热焊盘）

‌3. 功能模块详解‌

• ‌高压VCC稳压器‌：输入4.25V-75V，输出6.9V（可外接7V-14V辅助电源以提升效率）
• ‌振荡器‌：通过单电阻编程频率（25kHz-750kHz），支持外部时钟同步
• ‌反馈环路‌：内置误差放大器（1.26V参考电压），支持隔离/非隔离配置
• ‌软启动‌：通过外部电容（SS引脚）实现可控启动

‌4. 典型应用电路‌

• ‌非隔离双开关正向‌：48V输入转5V/2.5A输出，效率优化设计
• ‌隔离双开关正向‌：采用光耦反馈，次级侧LMV431A基准
• ‌双开关反激‌：简化设计但效率略低（较正向拓扑低约2%）
• ‌DC-DC变压器‌：1:1电压转换，开环工作于最大占空比

‌5. 设计要点‌

• ‌PCB布局‌：优先缩短HO/LO引脚走线，VIN/PVIN需就近放置陶瓷去耦电容
• ‌EN/UVLO配置‌：电阻分压网络设定启动电压阈值（如16V输入需29.4kΩ+2.49kΩ）
• ‌热管理‌：利用散热焊盘连接地平面，多过孔增强散热

‌6. 性能曲线‌
文档包含效率、频率、RDS(ON)随温度变化等关键曲线，例如：

• 48V输入时效率达85%（5V输出，300kHz开关频率）
• RDS(ON)随温度升高线性增加（如低侧MOSFET在125°C时增至0.93Ω）

‌7. 版本与封装‌

• 最新版本为2013年4月修订（SNVS538C）
• 提供HTSSOP-14EP封装，符合RoHS标准，工作温度-40°C至125°C

‌应用场景‌
适用于工业电源、通信设备、PoE供电等需高压输入与隔离输出的场景，尤其适合空间受限的高效电源设计。