该LM25180是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式转换器,在 4.5 V 至 42 V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压从初级侧反激电压采样,无需光耦合器、基准电压源或变压器的第三绕组进行输出电压调节。
高集成度导致了简单、可靠和高密度的设计,只有一个组件穿过隔离栅。边界导通模式 (BCM) 开关可实现紧凑的磁性解决方案,负载和线路调节性能优于 ±1.5%。集成的 65V 功率 MOSFET 提供高达 7 W 的输出功率,并增强了线路瞬变的裕量。
*附件:lm25180.pdf
LM25180反激式转换器采用 8 引脚、4 mm × 4 mm 热增强型 WSON 封装,引脚间距为 0.8 mm。
LM25180反激式转换器简化了隔离式DC/DC电源的实现,并具有可选功能,可优化目标终端设备的性能。输出电压由一个电阻器设置,而可选的电阻器通过抵消反激式二极管压降的热系数来提高输出电压精度。其他功能包括内部固定或外部可编程软启动、可选偏置电源连接以提高效率、带迟滞的精密使能输入以实现可调节线路 UVLO、打嗝模式过载保护以及带自动恢复的热关断保护。
特性
- 专为可靠和坚固的应用而设计
- 4.5 V 至 42 V 的宽输入电压范围,启动后工作电压低至 3.5 V
- 坚固耐用的解决方案,只有一个组件可以穿过隔离栅
- ±1.5% 总输出调节精度
- 可选 V
外温度补偿 - 6 ms 内部或可编程软启动
- 输入 UVLO 和热关断保护
- 打嗝模式过流故障保护
- –40°C 至 +150°C 结温范围
- 集成可减小解决方案规模和成本
- 集成 65V、0.4 Ω功率 MOSFET
- V 无需光耦合器或变压器辅助绕组
外调节 - 内部环路补偿
- 高效PSR反激式作
- BCM中的准谐振MOSFET关断
- 低输入静态电流
- 外部偏置选项可提高效率
- 单输出和多输出实现
- 超低传导和辐射 EMI 特征
- 软开关避免了二极管反向恢复
- 针对 CISPR 32 EMI 要求进行了优化
参数

方框图

1. 产品概述
LM25180是一款高集成度、宽输入电压范围(4.5V至42V)的初级侧调节(PSR)反激式DC/DC转换器,集成了65V/1.5A功率MOSFET。其特点包括:
- 高可靠性设计:支持宽输入电压,启动后最低工作电压可至3.5V,输出精度±1.5%,具备输入欠压锁定(UVLO)、热关断及过流保护功能。
- 简化设计:无需光耦或变压器辅助绕组即可实现输出电压调节,内置环路补偿,降低元件数量和成本。
- 高效能:采用准谐振边界导通模式(BCM),支持外部偏置以提高效率,单路或多路输出配置灵活。
- 低EMI:优化设计满足CISPR 32电磁干扰标准,软开关技术减少二极管反向恢复损耗。
2. 关键特性
- 集成功能:内置功率MOSFET(0.4Ω导通电阻)、6ms软启动、温度补偿选项。
- 保护机制:输入UVLO、热关断(175°C触发)、断续模式过流保护。
- 应用场景:工业隔离电源(如现场变送器、电机驱动IGBT/SiC栅极供电、楼宇自动化HVAC系统等)。
3. 典型应用设计
- 单输出设计(如5V/1A):通过反馈电阻(RFB)和参考电阻(RSET)设置输出电压,支持二极管温度补偿(RTC)以提高精度。
- 双输出设计(如15V/-7.7V):利用多绕组变压器实现交叉调节,优化布局减少漏感影响。
- 外部偏置供电:通过变压器辅助绕组降低输入静态电流,提升效率。
4. 设计支持工具
- WEBENCH® Power Designer:提供定制化设计、仿真及布局方案。
- 快速计算工具:辅助选择变压器、电容等关键元件参数。
5. 封装与布局
- 8引脚WSON封装(4mm×4mm),需注意散热设计,推荐通过PCB接地平面和散热过孔优化热性能。
- 布局要点:最小化高频电流环路面积,反馈路径短接,优先使用陶瓷电容降低ESR。
6. 性能曲线
文档包含效率、负载调整率、启动波形等实测数据,例如在24V输入下5V输出的效率可达86%(1A负载)。