LM25180-Q1 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式转换器,在 4.5 V 至 42 V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压从初级侧反激电压采样,无需光耦合器、基准电压源或变压器的第三绕组进行输出电压调节。高集成度导致了简单、可靠和高密度的设计,只有一个组件穿过隔离栅。边界导通模式 (BCM) 开关可实现紧凑的磁性解决方案,负载和线路调节性能优于 ±1.5%。集成的 65V 功率 MOSFET 提供高达 7 W 的输出功率,并增强了线路瞬变的裕量。
*附件:lm25180-q1.pdf
LM25180-Q1转换器通过可选功能简化了隔离式DC/DC电源的实施,以优化目标终端设备的性能。输出电压由一个电阻器设置,而可选的电阻器通过抵消反激式二极管压降的热系数来提高输出电压精度。其他功能包括内部固定或外部可编程软启动、可选偏置电源连接以提高效率、带迟滞的精密使能输入以实现可调节线路 UVLO、打嗝模式过载保护以及带自动恢复的热关断保护。
LM25180-Q1 符合汽车 AEC-Q100 1 级标准,采用 8 引脚 WSON 封装,引脚间距为 0.8 mm,具有可润湿侧翼。
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 环境温度范围
- 专为可靠和坚固的应用而设计
- 4.5 V 至 42 V 的宽输入电压范围
- 坚固耐用的解决方案,只有一个组件可以穿过隔离栅
- ±1.5% 总输出调节精度
- 可选 V
外温度补偿 - 6 ms 内部或可编程软启动
- 输入 UVLO 和热关断保护
- 打嗝模式过流故障保护
- –40°C 至 +150°C 结温范围
- 集成可减小解决方案规模和成本
- 集成 65V、0.4 Ω功率 MOSFET
- V 无需光耦合器或变压器辅助绕组
外调节 - 低 EMI作,符合 CISPR 25 标准
- 高效PSR反激式作
- 重负载边界导通模式 (BCM) 中的准谐振开关
- 外部偏置选项可提高效率
- 单输出和多输出实现
参数

方框图

1. 产品概述
LM25180-Q1 是一款专为汽车应用设计的初级侧调节(PSR)反激式DC/DC转换器,具有以下核心特性:
- 宽输入电压范围:4.5 V 至 42 V,支持严苛的汽车环境。
- 高集成度:内置65 V/1.5 A MOSFET,无需光耦或变压器辅助绕组即可实现输出电压调节。
- 高效率:边界导通模式(BCM)和频率折返模式(FFM)优化全负载范围效率,典型效率达86%(5 V/1 A输出)。
- 高可靠性:符合AEC-Q100 Grade 1标准(-40°C至125°C环境温度),具备输入欠压锁定(UVLO)、热关断和打嗝模式过流保护。
2. 关键特性
- 输出精度:±1.5% 总调节精度,支持可选温度补偿(通过TC引脚)。
- 简化设计:通过FB引脚电阻设置输出电压,单电阻(RSET=12.1 kΩ)配置。
- 低EMI:满足CISPR 25标准,适用于汽车电子系统。
- 灵活控制:可编程软启动(内部6 ms或外部电容调节)、外部偏置供电选项(提升效率)。
3. 应用场景
- 汽车电子:车身控制模块、动力总成系统、隔离偏置电源。
- 工业设备:IGBT/SiC MOSFET栅极驱动电源(支持双输出设计,如15 V/-7.7 V)。
4. 设计支持
- 参考设计:提供单输出(如5 V/1 A)和双输出(如24 V/5 V)的完整原理图、布局示例及BOM。
- 工具支持:WEBENCH® Power Designer在线设计工具和Excel快速计算器辅助组件选型。
- 热管理:推荐使用PCB散热过孔和顶层接地平面以优化热性能。
5. 封装与订购信息
- 封装:8引脚WSON(4 mm × 4 mm),带可润湿侧翼,便于自动光学检测(AOI)。
- 型号:LM25180QNGURQ1(符合汽车级认证)。
6. 文档资源
- 包含详细电气特性、典型应用曲线(如效率、负载调整率)、EMI测试数据及布局指南。
此文档为工程师提供了从选型到量产的全流程技术支持,适用于高密度、高可靠性的隔离电源设计需求。