UCC21551/UCC21551-Q1隔离式双通道栅极驱动器技术解析与应用指南

描述

Texas Instruments UCC21551/UCC21551-Q1双通道隔离式栅极驱动器采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流设计,用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。该隔离式栅极驱动器可配置为两个低侧、两个高侧或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,该隔离栅具有最小值125V/ns的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。UCC21551/UCC21551-Q1隔离式栅极驱动器可在各种​​电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。典型应用包括交流-直流和直流-直流隔离转换器、电机驱动器、逆变器和不间断电源 (UPS)。UCC21551-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100标准。

数据手册:*附件:Texas Instruments UCC21551,UCC21551-Q1隔离式栅极驱动器数据手册.pdf

特性

  • 可配置为双低侧、双高侧或半桥驱动器
  • 结温范围:–40°C至150 °C
  • 高达4A峰值拉电流和6A峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于125V/ns
  • 高达25V VDD 输出驱动电源
    • 12V和17V VDD UVLO选项
  • 开关参数
    • 传播延迟:33 ns(典型值)
    • 5 ns最大延迟匹配
    • 6 ns最大脉冲宽度失真
    • 10μs最大VDD上电延迟
  • 针对所有电源的UVLO保护
  • 电源时序快速启用

功能框图

MOSFET

典型应用原理图

MOSFET

UCC21551隔离式双通道栅极驱动器技术解析与应用指南

一、核心特性

  • 灵活配置‌:支持双低端、双高端或半桥驱动配置
  • 宽工作温度‌:-40°C至+150°C结温范围
  • 多种UVLO选项‌:提供5V/8V/12V/17V VDD UVLO版本
  • 高速开关性能‌:33ns典型传播延迟,5ns最大脉宽失真
  • 集成保护功能‌:所有电源的UVLO保护,可编程死区时间
  • 增强隔离‌:符合UL1577、VDE0884-17等安全标准

二、关键参数详解

1. 电气特性

  • 输入电压范围‌:1.6V至5.5V
  • 输出电压范围‌:最高25V
  • 驱动能力‌:
    • 4A峰值源电流
    • 6A峰值灌电流
  • 导通电阻‌:
    • 上拉:5Ω(典型值)
    • 下拉:0.55Ω(典型值)
  • 隔离特性‌:
    • 5kVRMS增强隔离
    • 125V/ns CMTI

2. 开关特性

  • 传播延迟‌:33ns(典型值)
  • 延迟匹配‌:5ns(最大值)
  • 上升/下降时间‌:8ns(1.8nF负载时)
  • 最小输入脉宽‌:12ns(典型值)

三、功能描述

1. 输入和输出配置

UCC21551x提供两个独立控制的通道(OUTA和OUTB),每个通道由对应的输入引脚(INA/INB)控制。输入侧与输出侧通过电容隔离技术实现电气隔离。

2. 保护特性

  • UVLO保护‌:VCCI和VDDx均有欠压锁定功能
  • 主动下拉‌:在UVLO期间主动将输出拉低
  • 热关断‌:165°C阈值(典型值)
  • 反向电流阻断‌:防止输出反向供电

3. 可编程死区时间

通过DT引脚配置可实现:

  • 完全禁用死区(引脚悬空或接VCC)
  • 固定死区(引脚接GND)
  • 可编程死区(通过外部电阻设置)

死区时间计算公式:
tDT = 8.6 × RDT + 13 (RDT单位为kΩ,tDT单位为ns)

四、典型应用设计

1. 半桥驱动配置

典型应用电路包含:

  • 输入滤波电路(RIN=51Ω,CIN=33pF)
  • 栅极驱动电阻(RON=2.2Ω)
  • 自举电路(RBOOT=2.2Ω,CBOOT=1μF)
  • 死区设置电阻(RDT=10kΩ→99ns死区)

2. 关键元件选型

  • 自举二极管‌:建议选用SiC肖特基二极管(如C4D02120E)
  • 输出电容‌:VDDx引脚建议并联1μF+100nF MLCC
  • 栅源电阻‌:5.1kΩ至20kΩ范围

3. 功率计算

总驱动功率包含:

  • 静态功耗:约112.5mW(5V/20V供电时)
  • 开关损耗:约240mW(驱动60nC栅极电荷@100kHz)
  • 驱动器损耗:约30mW(考虑外部栅极电阻)

五、PCB布局指南

  1. 关键元件布置‌:
    • 输入/输出电容尽量靠近器件引脚
    • VIN1/VIN2/VOUT使用宽走线(≥1mm)
    • 热焊盘充分连接至地平面
  2. 隔离设计‌:
    • 初级侧与次级侧保持8mm以上爬电距离
    • 敏感模拟地(AGND)与功率地(PGND)单点连接
  3. 热管理‌:
    • DWK封装热阻θJA=74.1°C/W
    • 高电流应用建议使用散热过孔

六、应用场景

  1. 电源转换‌:
    • AC/DC和DC/DC隔离转换器
    • 高电压DC-DC转换器
  2. 电机驱动‌:
    • 工业电机驱动器
    • 电动汽车逆变器
  3. 其他应用‌:
    • 不间断电源(UPS)
    • 车载充电器
    • 汽车HVAC系统

七、型号选择

型号封装VDD UVLO推荐VDD
UCC21551ADWRSOIC-165V6.7-25V
UCC21551ADWKRSOIC-145V6.7-25V
UCC21551BDWKRSOIC-148V9.2-25V
UCC21551CDWKRSOIC-1412V13.5-25V
UCC21551DDWKRSOIC-1417V19-25V

该系列器件凭借其高集成度、强抗干扰能力和灵活的配置选项,成为工业、汽车和能源应用的理想选择。

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